Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 035 ofert spośród 4 840 987 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 200 mA TO-243AA 600 V SMD Pojedynczy 1,6 W 25 omów (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-243AA Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja d...
Microchip Technology
VN2460N8-G
od PLN 3,64*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 200 A DDPAK/ TO-263 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = DDPAK/ TO-263 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Texas Instruments
CSD19532KTT
od PLN 6,531*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 170A; 1150W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,15kW Polaryzacja: unip...
IXYS
IXFX170N20T
od PLN 38,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 2,5kV; 3A; 417W; TO264; 370ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 370ns Napięcie dren-źródło: 2,5kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W Po...
IXYS
IXTK3N250L
od PLN 260,15*
za szt.
 
 szt.
Infineon
AUIRF1404
od PLN 1 353,14*
za 50 szt.
 
 opakowanie
Infineon
IPA320N20NM3SXKSA1
od PLN 4,41*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 200 A HSOF-5 40 V SMD 0.001 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET mocy Infineon OptiMOS™-5 z serii N. Jest on używany do zastosowań motoryzacyjnych.N-Channel (kanał N) - Tryb wzmocnienia - Normal Level (poziom normalny) MSL3 do 260°C Relow Peak ...
Infineon
IAUA200N04S5N010AUMA1
od PLN 5,02*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 17A; 170W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 170W Polary...
Infineon
IRFS23N20DTRLP
od PLN 3,61*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 200 mA SOT-23 50 V SMD Pojedynczy 225 mW 10 omów (2 ofert) 
Samochodowy Power MOSFET - idealny do zastosowań o niskim poborze mocy. 50 V, 200 mA, 3,5 Ω, pojedynczy kanał N, SOT-23, poziom logiczny, Pb-Free. Zgodność z procesem PPAP umożliwiająca stosowanie ...
onsemi
BVSS138LT1G
od PLN 0,144*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 202 A TSDSON-8 FL 25 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 202 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = TSDSON-8 FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukł...
Infineon
BSZ011NE2LS5IATMA1
od PLN 22 144,70*
za 5 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 3,6A; Idm: 20A; 70W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 3,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 275mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 70W Polaryzacja: unipolar...
onsemi
FDD2670
od PLN 3,82*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 201 A PowerPAK SO-8L 25 V SMD 0.00074 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 201 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Vishay
SiJA22DP-T1-GE3
od PLN 3,557*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 2,7A; 25W; TO252 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: ALPHA & OMEGA SEMICO...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD450
od PLN 0,86*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 200 A LFPAK56E 55 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Typ opakowania = LFPAK56E Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1
Nexperia
PSMN2R0-55YLHX
od PLN 9,873*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 200 mA SOT-23 60 V SMD 3,2e+006 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren...
Toshiba
T2N7002AK,LM(T
od PLN 248,28*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   691   692   693   694   695   696   697   698   699   700   701   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.