Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 035 ofert spośród 4 840 987 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 5,7A; Idm: 36A; 55W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 5,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motoryzacyjna Moc roz...
onsemi
FQD12N20LTM-F085
od PLN 2,37*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 202 A TSDSON-8 FL 25 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 202 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = TSDSON-8 FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukł...
Infineon
BSZ011NE2LS5IATMA1
od PLN 7,15*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 48A; 250W; TO220AB; 130ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W...
IXYS
IXTP48N20T
od PLN 8,54*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 205 A WHTFN 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 205 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = WHTFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 9 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
Infineon
SP005559058
od PLN 29 477,28*
za 6 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 150A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 890W ...
IXYS
IXFT150N20T
od PLN 54,64*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A PowerPAK 10 x 12 650 V Montaż na płytce drukowanej (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PowerPAK 10 x 12 Typ montażu = Montaż na płytce drukowanej Liczba styków = 8 Tryb kanałow...
Vishay
SIHK125N60EF-T1GE3
od PLN 14,50*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A LFPAK, SOT-669 60 V SMD Pojedynczy 24 W 43 miliomy (1 Oferta) 
Motoryzacyjny układ Power MOSFET w obudowie DPAK z płaskimi wyprowadzeniami zaprojektowanej do kompaktowych i efektywnych konstrukcji i zapewniającej wysokie parametry termiczne. Tranzystory MOSFET...
onsemi
NVMYS025N06CLTWG
od PLN 6,29*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 203 A M0-299A 80 V SMD 0.0017 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 203 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = M0-299A Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren...
onsemi
NTBLS1D7N08H
od PLN 13,772*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 9 A TO-220AB 200 V (3 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny
Vishay
IRF630PBF
od PLN 2,141*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 209 A WDSON 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 209 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba e...
Infineon
IRL7486MTRPBF
od PLN 4,113*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 170A; 1150W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,15kW Polaryzacja: unipola...
IXYS
IXFK170N20T
od PLN 37,99*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A SO-8 30 V SMD 0.0035 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0...
Infineon
IRF8734TRPBF
od PLN 2,459*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 5A; 50W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,36Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Polaryzacja: unipolarny...
onsemi
FQD10N20CTM
od PLN 1,10*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A PowerPAK 10 x 12 650 V Montaż na płytce drukowanej (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PowerPAK 10 x 12 Typ montażu = Montaż na płytce drukowanej Liczba styków = 8 Tryb kanałow...
Vishay
SIHK125N60EF-T1GE3
od PLN 9,835*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 204 A PowerPAK SO-8DC 60 V SMD 0.0012 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor Vishay N-Channel 60 V (D-S) MOSFET ma typ pakietu PowerPAK SO-8DC.Układ mocy MOSFET TrenchFET® IV generacji Bardzo niska wartość FOM RDS-Qg Optymalizacja pod kątem najniższej wartości FO...
Vishay
SiDR626LDP-T1-RE3
od PLN 5,993*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   691   692   693   694   695   696   697   698   699   700   701   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.