Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 035 ofert spośród 4 840 987 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 7,5A; Idm: 48A; 50W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FQPF19N20
od PLN 4,57*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 mA SOT-23 600 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = BSS127I Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Wyczerpanie Maksyma...
Infineon
BSS127IXTSA1
od PLN 1,225*
za 5 szt.
 
 opakowania
Infineon
IPI320N20N3GAKSA1
od PLN 4,97*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 212 A TSDSON-8 FL 25 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 212 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = TSDSON-8 FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukł...
Infineon
BSZ010NE2LS5ATMA1
od PLN 6,107*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 80A; 520W; TO247-3; 250ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 32mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W...
IXYS
IXTH80N20L
od PLN 38,50*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 210 A D2PAK (TO-263) 55 V SMD 3.3 MO (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET mocy Infineon HEXFET® wykorzystuje najnowsze techniki przetwarzania, aby osiągnąć bardzo niską odporność na każdy obszar krzemu. Dodatkowe zalety tej konstrukcji to temperatura ro...
Infineon
IRF3805STRLPBF
od PLN 8,665*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 80A; 520W; TO268; 250ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 32mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W P...
IXYS
IXTT80N20L
od PLN 56,67*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF7862TRPBF
od PLN 1,37*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 74A; 403W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 74A Rezystancja w stanie przewodzenia: 34mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 403W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M34SLLG
od PLN 76,65*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21,2 A PowerDI3333-8 40 V SMD 0.02 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = DMT Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0....
Diodes
DMT4015LDV-7
od PLN 2 200,66*
za 2 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 214 A PowerPAK 1212-8SLW 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 214 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8SLW Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SQS140ENW-T1_GE3
od PLN 2,946*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 210 A PowerPAK SO-8L 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 210 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ...
Vishay
SQJ182EP-T1_GE3
od PLN 4,287*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPP120N20NFDAKSA1
od PLN 13,373*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A SO-8 30 V SMD 0.0036 Ω (1 Oferta) 
Seria MOSFET mocy HEXFET Infineon ma maksymalne napięcie źródła spustu 30 V w OBUDOWIE SO-8. Posiada zastosowanie synchronicznego konwertera typu buck o wysokiej częstotliwości do zastosowań w syst...
Infineon
IRF7831TRPBF
od PLN 9,535*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 210 A D2PAK (TO-263) 55 V SMD 3.3 MO (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 210 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
Infineon
IRF3805STRLPBF
od PLN 6 913,424*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   701   702   703   704   705   706   707   708   709   710   711   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.