Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 035 ofert spośród 4 840 858 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 218 A PowerPAK SO-8DC 60 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 218 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8DC Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Vishay
SiDR626LEP-T1-RE3
od PLN 6,194*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 22 A TO-247 700 V 0,11 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 22 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,1...
Infineon
IPW65R110CFD7XKSA1
od PLN 13,85*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 86A; 550W; TO3P; 140ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 86A Rezystancja w stanie przewodzenia: 33mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 550W Po...
IXYS
IXTQ86N20T
od PLN 14,21*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 22,4 A ThinkPAK 8 x 8 600 V SMD 0.18 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 22,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ P6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystancja dren-źr...
Infineon
IPL60R180P6AUMA1
od PLN 5,24*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPL60R180P6AUMA1
od PLN 6,516*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 22 A D2PAK (TO-263) 700 V SMD 0,11 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 22 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
Infineon
IPB65R110CFD7ATMA1
od PLN 9 232,78*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 1,2A; Idm: 4,8A; 680mW; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 1,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,36Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,68W Polary...
Diodes
DMN2310U-7
od PLN 0,135*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 22 A TO-247AC 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 22 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247AC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Li...
Vishay
SIHG150N60E-GE3
od PLN 230,43*
za 25 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 9,4A; 86W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 9,4A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolk...
Infineon
IRFR9N20DTRPBF
od PLN 2 920,72*
za 2 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 220 A TO-247 200 V 0.0055 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 220 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V Seria = X4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0055 Ω...
Littelfuse
IXTH220N20X4
od PLN 70,058*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 100A; 120W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 100A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 120W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolk...
Infineon
IRFR3711TRPBF
od PLN 3 354,06*
za 2 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 220 A TO-247 200 V 0.0055 Ω (1 Oferta) 
Tranzystory MOSFET Littelfuse IXTH220N20X4 zostały zaprojektowane z wykorzystaniem najnowszej technologii Ultra Junction, która umożliwia wydajne wykorzystanie mocy. Są one dostępne w PAKIETACH TO-...
Littelfuse
IXTH220N20X4
od PLN 70,532*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 22 A TO-220 650 V 0.099 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 22 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0...
Infineon
IPP60R099C7XKSA1
od PLN 8,671*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 22 A TO-247N 1200 V 0.16 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 22 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró...
ROHM Semiconductor
SCT2160KEHRC11
od PLN 62,696*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 90A; 300W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzacja: unip...
IXYS
IXFR140N20P
od PLN 48,49*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   701   702   703   704   705   706   707   708   709   710   711   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.