Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 035 ofert spośród 4 840 858 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 9,75A; 83W; DPAK (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 9,75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 83W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FQD18N20V2TM
od PLN 2,20*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A TO-252 150 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = TO-252
Diodes
DMT15H053SK3-13
od PLN 2,296*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 9,45A; 90W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 9,45A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Polaryz...
ST Microelectronics
STB19NF20
od PLN 2,14*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 214 A PowerPAK 1212-8SLW 40 V Montaż na płytce drukowanej (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 214 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8SLW Typ montażu = Montaż na płytce drukowanej Liczba styków = 8 Tryb kanał...
Vishay
SQS140ELNW-T1_GE3
od PLN 2,596*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 48A; 250W; TO3P; 130ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Po...
IXYS
IXTQ48N20T
od PLN 9,88*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 22 A DFN2020 20 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 22 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = DFN2020 Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRLHS6242TRPBF
od PLN 0,645*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 217 mA SOT-363 60 V SMD 6 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 217 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = DMN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 6 ...
Diodes
DMN66D0LDWQ-7
od PLN 794,64*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 9,8 A TO-220FP 200 V Pojedynczy 40 W 180 miliomów (3 ofert) 
MOSFET N-Channel, od 200 V do 250 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFI640GPBF
od PLN 3,69*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A U-DFN2030 20 V SMD 0.0202 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Seria = DMN2024UFU Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Diodes
DMN2024UFU-7
od PLN 1,199*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 215 A PowerDI5060-8 60 V SMD 0.0016 O. (1 Oferta) 
Seria DiodesZetex DMTH61M8SPS to N-kanałowy system MOSFET zaprojektowany w celu zminimalizowania oporności na stan, utrzymania najwyższej wydajności przełączania, co czyni go idealnym rozwiązaniem ...
Diodes
DMTH61M8SPS-13
od PLN 6,657*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPP60R099C7XKSA1
od PLN 10,79*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 0,25A; 0,15W; SOT723 (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SOT723 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,15W Polaryzacja: unip...
Toshiba
SSM3K37MFV,L3F
od PLN 0,74*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Infineon
IPB60R099C7ATMA1
od PLN 10,664*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 mA SOT-23 600 V SMD 700 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = SIPMOS® Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
Infineon
BSS126IXTSA1
od PLN 0,888*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 96A; 600W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 96A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 600W Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXFT96N20P
od PLN 25,32*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   701   702   703   704   705   706   707   708   709   710   711   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.