 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 2,021*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,74*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 233 A PowerPAK 8 x 8L 40 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 233 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK 8 x 8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów na... |
|
od PLN 6,093*
za szt. |
|
|
|
Infineon BSZ009NE2LS5ATMA1 |
od PLN 12,436*
za 2 szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AO7414 |
od PLN 0,43*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 225 A SO-8 100 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 225 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ... |
|
od PLN 10,302*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,145*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 18,34*
za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 1,8A; Idm: 11A (1 Oferta) Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 1,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 108mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj o... |
|
od PLN 0,37*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 8,266*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 225 A TO-247-4 1200 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 225 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon IMZA120R007M1HXKSA1 |
od PLN 206,713*
za szt. |
|
|
|
LUGUANG ELECTRONIC LGE2302 |
od PLN 0,61*
za 5 szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 217 mA SOT-363 60 V SMD 6 O. (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 217 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = DMN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 6 ... |
|
od PLN 793,35*
za 3 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,47*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPW60R037CSFDXKSA1 |
od PLN 28,764*
za szt. |
|
|
