MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 693/1 536)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

MOSFET N-kanałowy 600 mA HVMDIP 200 V Pojedynczy 1 W 1,5 oma (2 ofert)

MOSFET N-Channel, od 200 V do 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFD210PBF

od PLN 1,22*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 203 A DFN 80 V SMD Pojedynczy 200 W 2,1 milioma (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 203 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = DFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystancja dren-źró...

onsemi

NVMFS6H800NT1G

od PLN 9,946*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 5,9 A TO-220FP 200 V Pojedynczy 35 W 400 miliomów (2 ofert)

MOSFET N-Channel, od 200 V do 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFI630GPBF

od PLN 2,45*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 202 A D2PAK (TO-263) 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 202 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

IPT026N10N5ATMA1

od PLN 15,696*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 200 A LFPAK8 40 V SMD Pojedynczy 110 W 2,2 milioma (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-...

onsemi

NVMJS1D5N04CLTWG

od PLN 4,718*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 2,4A; Idm: 15,2A; 37W; DPAK (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 2,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 37W Polaryzacja: unipolar...

onsemi

FQD5N20LTM

od PLN 1,49*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 203 A M0-299A 80 V SMD 0.0017 Ω (1 Oferta)

The ON Semiconductor N-channel power MOSFET has low on state resistance and low gate charge. It has 203 A of drain current. It is used in power tools, battery operated vacuums, UAV/drones, material...

onsemi

NTBLS1D7N08H

od PLN 14,388*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 203 A D2PAK (TO-263) 100 V SMD 0.0041 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 203 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = SiC Power Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-źródł...

onsemi

NTBGS004N10G

od PLN 19,015*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 250mA; Idm: 2A; 1W; TO92 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 0,25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacj...

Microchip Technology

TN0620N3-G

od PLN 5,17*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 200 mA SOT-223 65 V SMD Pojedynczy 2 W (1 Oferta)

Tranzystory RF MOSFET Semelab

Semelab

D2081UK.F

od PLN 1 446,39*
za 50 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 230A; 1670W; PLUS247™ (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 230A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1670W Polaryzacja: unip...

IXYS

IXFX230N20T

od PLN 77,26*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 200 mA SOT-723 50 V SMD (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 50 V Typ opakowania = SOT-723 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

ROHM Semiconductor

RYM002N05T2CL

od PLN 0,25*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 1,1A; 1,6W; SuperSOT-6 (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SuperSOT-6 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 1,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,43Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,6W Polaryzacja: u...

onsemi

FDC2612

od PLN 1,33*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 204 A PowerPAK SO-8DC 60 V SMD 0.0012 Ω (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 204 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8DC Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystan...

Vishay

SiDR626LDP-T1-RE3

od PLN 14 918,07*
za 3 000 szt.

MOSFET N-kanałowy 204 A Moduł 1200 V Montaż na śrubie (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 204 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż na śrubie

ROHM Semiconductor

BSM180D12P2E002

od PLN 2 579,988*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 691 692 693 694 695 696 697 698 699 700 701 .. 1536 Dalej

MOSFET (23 035 ofert spośród 4 840 987 artykułów)

"MOSFET"