Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 953 ofert spośród 4 927 603 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 200 mA SOT-23 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = SN7002I Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Wyczerpanie Maksyma...
Infineon
SN7002IXTSA1
od PLN 0,865*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 170A; 1150W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,15kW Polaryzacja: unip...
IXYS
IXFX170N20T
od PLN 37,95*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 20 A TO-247 500 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 500 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Licz...
Vishay
IRFP460PBF
od PLN 44,906*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 205 A WHSON 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 205 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = WHSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
Infineon
SP005559052
od PLN 8,233*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 200 A LFPAK8 40 V SMD Pojedynczy 110 W 2,2 milioma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-...
onsemi
NTMJS1D5N04CLTWG
od PLN 4,432*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 11A; 136W; DPAK,TO252 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: DPAK;TO252 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 136W Polaryzacja: uni...
Vishay
SUD19N20-90-E3
od PLN 4,46*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 20 A TO-247 600 V Pojedynczy 231 W 190 miliomów (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-247 Seria = R6020KNZ4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezy...
ROHM Semiconductor
R6020KNZ4C13
od PLN 22,428*
za 2 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 206 A TO-247 650 V 0.045 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 206 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolMOS™ P7 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Infineon
IPW60R045P7XKSA1
od PLN 22,168*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 200 A PG-HSOF-5 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-HSOF-5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IAUA200N04S5N010AUMA1
od PLN 4,315*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: NTE Electronics Mont...
NTE Electronics
NTE2374
od PLN 14,15*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 20 A TO-247 700 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Materiał tranzystora = SiC
Microchip Technology
MSC090SMA070B
od PLN 27,074*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A DFN 60 V SMD Pojedynczy 24 W 27,5 milioma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = DFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystancja dren-źród...
onsemi
NVMFS5C680NLT1G
od PLN 2 475,51*
za 1 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 150A; 890W; TO247-3; 100ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 150A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 890...
IXYS
IXFH150N20T
od PLN 48,80*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 201 A PG-TO263-3 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 201 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerz...
Infineon
IPB011N04NF2SATMA1
od PLN 6,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 230A; 1670W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 230A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1670W Polaryzacja: unipola...
IXYS
IXFK230N20T
od PLN 72,76*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   681   682   683   684   685   686   687   688   689   690   691   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.