Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 951 ofert spośród 4 926 596 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 1,7A; 25W; DPAK,TO252 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: DPAK;TO252 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 1,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryzacja: uni...
Vishay
IRFR210PBF
od PLN 1,32*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 20 A SuperSO8 5 x 6 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na u...
Infineon
IPG20N06S415AATMA1
od PLN 4,34*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 17ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Po...
IXYS
IXTP3N100D2
od PLN 7,82*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 2,5kV; 3A; 417W; TO264; 370ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 370ns Napięcie dren-źródło: 2,5kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W Po...
IXYS
IXTK3N250L
od PLN 258,39*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 20 A TO-220 650 V (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Mate...
ST Microelectronics
STP65N150M9
od PLN 9,50*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 5A; Idm: 27A; 290W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 290W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8M100B
od PLN 18,17*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 20 A, 60 A PowerPAK SO-8L podwójny 40 (kanał 1) V 40 (2) V SMD Dwa 27 W, 48 W 0.0067 (kanał 2) Ω, (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A, 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 (kanał 1) V 40 (2) V Typ opakowania = PowerPAK SO-8L podwójny Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczb...
Vishay
SQJ208EP-T1_GE3
od PLN 2,303*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 420ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960W ...
IXYS
IXTK110N20L2
od PLN 106,68*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 20 A SuperSO8 5 x 6 podwójny 100 V SMD 0.022 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
Infineon
IPG20N10S4L22ATMA1
od PLN 4,195*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 4A; 290W; TO247-3; 1,1us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 1,1µs Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 4A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 290W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania...
IXYS
IXTH4N100L
od PLN 42,49*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 200 mA SOT-23 60 V SMD (1 Oferta) 
Infineon SN7002I to mały sygnał, małe tranzystory MOSFET o mocy N i P zapewniają szeroki zakres poziomów VGS (th) i wartości RDS (on), a także wiele klas napięcia. Ten MOSFET ma opcje wzmocnienia i...
Infineon
SN7002IXTSA1
od PLN 0,141*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 20 A TO-220 FULLPAK 60 V (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TO-220 FULLPAK Typ montażu = Otwór przezierny
Vishay
IRLIZ34GPBF
od PLN 2,98*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 41ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Po...
IXYS
IXTP6N100D2
od PLN 22,96*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 20,7 A SO-8 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
Vishay
SQ4840CEY-T1_GE3
od PLN 2,176*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 20 A SuperSO8 5 x 6 podwójny 40 V SMD 0.0076 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = OptiMOS™ -T2 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źród...
Infineon
IPG20N04S408AATMA1
od PLN 4,618*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   681   682   683   684   685   686   687   688   689   690   691   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.