MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 682/1 531)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Infineon IPA60R160P7 tranzystor 600 V (1 Oferta)

Infineon

IPA60R160P7XKSA1

od PLN 7,318*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 6A; Idm: 37A; 335W; TO247-3 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 335W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT9M100B

od PLN 20,85*
za szt.

Infineon IPG20N06S4L-11 tranzystor 55 V (1 Oferta)

Infineon

IPG20N06S4L11ATMA1

od PLN 18,36*
za 5 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO264 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 565W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10045LLLG

od PLN 105,74*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 200 A D2PAK 60 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = D2PAK Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...

Texas Instruments

CSD18536KTTT

od PLN 20,333*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; D3PAK (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 139W Polaryzacj...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT1003RSFLLG

od PLN 47,79*
za szt.

Infineon IPG20N10S4L-22 tranzystor 75 V (1 Oferta)

Infineon

IPG20N10S4L22ATMA1

od PLN 14,865*
za 5 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10035LLLG

od PLN 129,33*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 20 A TO-220AB 650 V (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1

ROHM Semiconductor

R6520KNX3C16

od PLN 7,10*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 2,5kV; 1,5A; Idm: 6A; 250W; 2,5us (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 2,5µs Napięcie dren-źródło: 2,5kV Prąd drenu: 1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250...

IXYS

IXTT1N250HV

od PLN 143,68*
za szt.

Infineon IPG20N06S2L-35A tranzystor 55 V (1 Oferta)

Infineon

IPG20N06S2L35AATMA1

od PLN 11 065,15*
za 5 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 26A; 780W; PLUS247™ (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 390mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 780W Polaryzacja: unipola...

IXYS

IXFX26N100P

od PLN 101,02*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 200 A DDPAK/ TO-263 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = DDPAK/ TO-263 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Texas Instruments

CSD19532KTT

od PLN 6,531*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO220-3 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 139W Polaryza...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT1003RKLLG

od PLN 31,76*
za szt.

Infineon IPG20N04S4-08A tranzystor 40 V (1 Oferta)

Infineon

IPG20N04S408AATMA1

od PLN 15 282,30*
za 5 000 szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 681 682 683 684 685 686 687 688 689 690 691 .. 1531 Dalej

MOSFET (22 951 ofert spośród 4 926 564 artykułów)

"MOSFET"