Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 935 ofert spośród 5 040 021 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 600mA, SOT-323 (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=XP224N06013R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=600 mA, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=14 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źr...
Torex Semiconductor
XP224N06013R-G
od PLN 0,52*
za szt.
 
 szt.
MOSFET 54 A PDFN56 40 V 11 m.Ω (1 Oferta) 
Tranzystory MOSFET z jednokanalowym zasilaniem Taiwan Semiconductor N to „tranzystory polowe półprzewodnikowe z tlenkiem metalu”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tranzystorowymi sterowanymi prz...
Taiwan Semiconductor
TSM110NB04CR
od PLN 4 921,70*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
IC: driver; sterownik bramkowy MOSFET; DIP8; 2A; Ch: 2; 4,5÷18V (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: DIP8 Napięcie pracy: 4,5...18V Prąd wyjściowy: 2A Typ układu scalonego: driver Czas narastania impulsu: 20ns Czas...
Microchip Technology
MCP14E6-E/P
od PLN 7,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 8.7A, SO-8 (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRF7401TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=8.7 A, Czas narastania=72 ns, Czas opadania=92 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=65 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Napięcie bramka-źró...
Infineon
IRF7401TRPBF
od PLN 1,20*
za szt.
 
 szt.
MOSFET 60 A DSO 600 V SMD (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = DSO Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 20 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba elementów...
Infineon
IGO60R070D1AUMA2
od PLN 29,626*
za szt.
 
 szt.
Infineon Technologies SPP20N60S5XKSA1 MOSFET 1 szt. (1 Oferta) 
MOSFET mocy INFINEON SPA_, SPP_ TO Dane techniczne: I(d): 20 A · Ilość kanałów: 1 · Moc (maks) P(TOT): 208 W · Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 600 V · R(DS) wł.: 0.19 Ω · Sposób montażu: do montażu...
Infineon
SPP20N60S5XKSA1
od PLN 28,00*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 8.9A, SO-8 (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRF8915TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=8.9 A, Czas narastania=12 ns, Czas opadania=3.6 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=7.1 ns, Czas opóźnienia włączenia=6 ns, Napięcie bramka-źr...
Infineon
IRF8915TRPBF
od PLN 3,31*
za szt.
 
 szt.
MOSFET 60 A HiP247-4 1200 V 5.2e+007 Ω (1 Oferta) 
The STMicroelectronics SCTWA60N is silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low...
ST Microelectronics
SCTWA60N120G2-4
od PLN 99,154*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; sterownik bramkowy MOSFET; MSOP8; 4,5A; Ch: 1; 4,5÷18V (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: MSOP8 Napięcie pracy: 4,5...18V Prąd wyjściowy: 4,5A Typ układu scalonego: driver Czas narastania impulsu: 12ns C...
Microchip Technology
MCP14A0455-E/MS
od PLN 4,77*
za szt.
 
 szt.
MOSFET 60 A HSOF 600 V SMD (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = HSOF Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba elementów...
Infineon
IGT60R070D1ATMA4
od PLN 26,741*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; sterownik bramkowy MOSFET; DIP8; 3A; Ch: 2; 4,5÷18V (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: DIP8 Napięcie pracy: 4,5...18V Prąd wyjściowy: 3A Typ układu scalonego: driver Czas narastania impulsu: 20ns Czas...
Microchip Technology
MCP14E11-E/P
od PLN 8,91*
za szt.
 
 szt.
Littelfuse IXFB110N60P3 MOSFET 1 szt. (1 Oferta) 
DyskMSFT NChHiPerFET-Polar3 TO-264(3) Dane techniczne: Dalsze dane techniczne: Rodzaj opakowania: TO-264 PLUS Konfiguracja: pojedyncza Opór cieplny [obudowa złącza] (K/W): 0,066 K/W Napięcie dren-ź...
Littelfuse
IXFB110N60P3
od PLN 82,98*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 240V, 260mA, SOT-89 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=BSS87H6327FTSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=260 mA, Czas narastania=3.5 ns, Czas opadania=27.3 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=17.6 ns, Czas opóźnienia włączenia=3.7 ns, Napięcie ...
Infineon
BSS87H6327FTSA1
od PLN 0,507*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD50R950CEAUMA1
od PLN 0,615*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; sterownik bramkowy MOSFET; DIP8; 3A; Ch: 1; 4,5÷18V (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Temperatura pracy: 0...70°C Obudowa: DIP8 Napięcie pracy: 4,5...18V Prąd wyjściowy: 3A Typ układu scalonego: driver Czas narastania impulsu: 23ns Czas op...
Microchip Technology
TC4403CPA
od PLN 7,50*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   461   462   463   464   465   466   467   468   469   470   471   ..   1529   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.