Podgląd | "MOSFET"Pojęcia nadrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 600mA, SOT-323 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP224N06013R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=600 mA, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=14 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źr... |
Torex Semiconductor XP224N06013R-G |
od PLN 0,52*
za szt. |
| |
MOSFET 54 A PDFN56 40 V 11 m.Ω (1 Oferta) Tranzystory MOSFET z jednokanalowym zasilaniem Taiwan Semiconductor N to „tranzystory polowe półprzewodnikowe z tlenkiem metalu”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tranzystorowymi sterowanymi prz... |
Taiwan Semiconductor TSM110NB04CR |
od PLN 4 921,70*
za 2 500 szt. |
| |
|
Microchip Technology MCP14E6-E/P |
od PLN 7,36*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 8.7A, SO-8 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF7401TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=8.7 A, Czas narastania=72 ns, Czas opadania=92 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=65 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 1,20*
za szt. |
| |
MOSFET 60 A DSO 600 V SMD (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = DSO Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 20 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba elementów... |
|
od PLN 29,626*
za szt. |
| |
Infineon Technologies SPP20N60S5XKSA1 MOSFET 1 szt. (1 Oferta) MOSFET mocy INFINEON SPA_, SPP_ TO Dane techniczne: I(d): 20 A · Ilość kanałów: 1 · Moc (maks) P(TOT): 208 W · Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 600 V · R(DS) wł.: 0.19 Ω · Sposób montażu: do montażu... |
|
od PLN 28,00*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 8.9A, SO-8 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF8915TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=8.9 A, Czas narastania=12 ns, Czas opadania=3.6 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=7.1 ns, Czas opóźnienia włączenia=6 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 3,31*
za szt. |
| |
MOSFET 60 A HiP247-4 1200 V 5.2e+007 Ω (1 Oferta) The STMicroelectronics SCTWA60N is silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low... |
ST Microelectronics SCTWA60N120G2-4 |
od PLN 99,154*
za szt. |
| |
|
Microchip Technology MCP14A0455-E/MS |
od PLN 4,77*
za szt. |
| |
MOSFET 60 A HSOF 600 V SMD (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = HSOF Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba elementów... |
|
od PLN 26,741*
za szt. |
| |
|
Microchip Technology MCP14E11-E/P |
od PLN 8,91*
za szt. |
| |
Littelfuse IXFB110N60P3 MOSFET 1 szt. (1 Oferta) DyskMSFT NChHiPerFET-Polar3 TO-264(3) Dane techniczne: Dalsze dane techniczne: Rodzaj opakowania: TO-264 PLUS Konfiguracja: pojedyncza Opór cieplny [obudowa złącza] (K/W): 0,066 K/W Napięcie dren-ź... |
|
od PLN 82,98*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 240V, 260mA, SOT-89 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BSS87H6327FTSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=260 mA, Czas narastania=3.5 ns, Czas opadania=27.3 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=17.6 ns, Czas opóźnienia włączenia=3.7 ns, Napięcie ... |
|
od PLN 0,507*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,615*
za szt. |
| |
|
Microchip Technology TC4403CPA |
od PLN 7,50*
za szt. |
| |
|
