Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 037 ofert spośród 4 840 918 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 850 mA SOT-363 20 V SMD 1,5 W 530 miliomów (1 Oferta) 
Motoryzacja Dual N-kanałowy 20 V (D-S) 175 °C TRANZYSTOR MOSFET.Układ MOSFET zasilania TrenchFET®
Vishay
SQ1922AEEH-T1_GE3
od PLN 1 477,23*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 1,4A; 35W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 1,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polaryzacja: unipolar...
Vishay
IRFIBE30GPBF
od PLN 3,85*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 85 A Super-247 700 V 0.029 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 85 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0...
Vishay
SiHS90N65E-GE3
od PLN 1 676,97*
za 25 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 24A; 650W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 650W Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXFK24N80P
od PLN 30,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 70A; 150W; TO263; 48ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 48ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Pol...
IXYS
IXTA70N075T2
od PLN 5,54*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 80 A TO-220 80 V 0.0052 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 80 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0....
Infineon
IPP052N08N5AKSA1
od PLN 4,388*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 227W ...
Infineon
SPB17N80C3
od PLN 14,37*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 1,57A; 70W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 1,57A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 70W Polaryzac...
ST Microelectronics
STD3NK80ZT4
od PLN 1,77*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 85 A TO-220AB 100 V Pojedynczy 250 W 10,5 milioma (2 ofert) 
N-Channel MOSFET, od 100V do 150V, Vishay Semiconductor
Vishay
SUP85N10-10-GE3
od PLN 7,73*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 26A; Idm: 150A; 1,04kW (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT38F80L
od PLN 73,67*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 81 A PowerPAK SO-8 100 V SMD 0,0061 oma (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET Vishay N-Channel 100 V (D-S) ma bardzo niski poziom sygnału RDS x QG (FOM) i jest dostrojony do najniższego sygnału RDS x Qoss FOM.Tranzystor MOSFET z zasilaniem TrenchFET Gen IV ...
Vishay
SiR870BDP-T1-RE3
od PLN 11 304,69*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 78A; 134W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 78A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 134W...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT470
od PLN 2,92*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 80 A TO-220AB 100 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 80 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRF8010PBF
od PLN 3,593*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3-FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42...
Infineon
SPA17N80C3
od PLN 14,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 27A; Idm: 150A; 1,04kW (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT41M80L
od PLN 58,15*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   991   992   993   994   995   996   997   998   999   1000   1001   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.