Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 037 ofert spośród 4 840 918 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 1,9A; Idm: 12A; 107W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 1,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 107W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FQP3N80C
od PLN 3,21*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 80 A DFN 100 V SMD Pojedynczy 214 W 6,4 milioma (1 Oferta) 
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 80A, 4,5 mΩTypowy sygnał RDS(włączony) = 5,2 mΩ w VGS = 10 V, ID = 80 A. Typowa QG(tot) = 31 nC dla VGS = 10 V, ID = 80 A. Funkcja UIS Urządzenia bez zawartości ...
onsemi
FDWS86068-F085
od PLN 6,251*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 1,57A; 25W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 1,57A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polary...
ST Microelectronics
STF3NK80Z
od PLN 5,04*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 82 A PG-WSON 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 82 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-WSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BSC070N10NS5SCATMA1
od PLN 18 076,65*
za 4 000 szt.
 
 zezwój
MOSFET N-kanałowy 81 A PowerPAK SO-8 100 V SMD 0,0061 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 81 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancj...
Vishay
SiR104LDP-T1-RE3
od PLN 2,515*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 80 A DPAK (TO-252) 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 80 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3
ST Microelectronics
STD86N3LH5
od PLN 4,965*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 1,83A; 32W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 1,83A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 32W Pola...
Taiwan Semiconductor
TSM3N80CI C0G
od PLN 5,01*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 81 A PowerPAK SO-8 100 V SMD 0.0061 Ω, 0.0072 Ω (1 Oferta) 
Wzmacniacz Vishay SiR104ADP-T1-RE3 to N-kanałowy MOSFET 100V (D-S).Układ mocy MOSFET TrenchFET® IV generacji Bardzo niska wartość FOM RDS-Qg Optymalizacja pod kątem najniższej wartości FOM RDS-Qoss...
Vishay
SiR104ADP-T1-RE3
od PLN 3,637*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 10,71A; 190W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 10,71A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W Polar...
ST Microelectronics
STW18NM80
od PLN 8,88*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPI80N06S407AKSA2
od PLN 4,319*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 170A; 360W; TO263; 63ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 63ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 360W P...
IXYS
IXTA170N075T2
od PLN 8,57*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPB80N06S2L09ATMA2
od PLN 7 245,52*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 82 A TO-247 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 82 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Licz...
Infineon
IPW65R115CFD7AXKSA1
od PLN 18,215*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 81 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD 0.0054 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 81 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Infineon
BSC054N04NSGATMA1
od PLN 1,668*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPB049N08N5ATMA1
od PLN 4,202*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   991   992   993   994   995   996   997   998   999   1000   1001   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.