Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 037 ofert spośród 4 840 918 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 400A; 1000W; TO268; 77ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 77ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 400A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1kW Po...
IXYS
IXFT400N075T2
od PLN 44,63*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 80 A TO-220 55 V 0.0091 Ω (1 Oferta) 
MOSFET samochodowy Infineon 55 V N-Channel. Ten MOSFET jest używany w sterowaniu zaworami, sterowaniu elektromagnesami, oświetleniu, silnikach jednostronnych itp.Tryb rozszerzenia kanału N Temperat...
Infineon
IPP80N06S209AKSA2
od PLN 9,943*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 12A; Idm: 70A; 500W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 530mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT18M80B
od PLN 29,68*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRFH7545TRPBF
od PLN 2,068*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 80 A TO-263AB 60 V SMD Pojedynczy 96 W 7,7 milioma (1 Oferta) 
RJ1G08CGN is a power MOSFET with low-on resistance and High power small mold package, suitable for switching.Low on - resistance High power small mold package Pb-free lead plating Halogen free
ROHM Semiconductor
RJ1L08CGNTLL
od PLN 32,775*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 44A; 135W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 37mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 135W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FDP16AN08A0
od PLN 3,95*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 80 A TO-220 55 V 7 MO (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 80 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Infineon
IPP80N06S2L07AKSA2
od PLN 8,296*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 15A; Idm: 60A; 298W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,52Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 298W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8052BLLG
od PLN 60,83*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 1,2A; Idm: 4A; 32W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 1,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 32W Polaryzacja: unipolarn...
onsemi
FCD3400N80Z
od PLN 2,53*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 85 A PQFN 3 x 3 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 85 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PQFN 3 x 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukła...
Infineon
IQE065N10NM5CGATMA1
od PLN 5,151*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 20A; 500W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,52Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
IXFT20N80P
od PLN 16,86*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 800 mA SOT-363 30 V SMD 0,7 oma (2 ofert) 
Tryb wzmocnienia dwukanałowego DiodesZetex 30V MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu, a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go idealn...
Diodes
DMN3401LDW-7
od PLN 0,287*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 520A; 1250W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 520A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25kW Polaryzacja: unipola...
IXYS
IXFK520N075T2
od PLN 41,62*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 80 A TO-220 60 V 0.0071 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 80 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = OptiMOS™ -T2 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
Infineon
IPP80N06S407AKSA2
od PLN 5,503*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 15A; Idm: 85A; 625W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,43Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT22F80S
od PLN 43,55*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   991   992   993   994   995   996   997   998   999   1000   1001   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.