 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
MOSFET 55 A PDFN56 30 V 8 m.Ω (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 55 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = TSM025 Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 8 m.Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięc... |
Taiwan Semiconductor TSM080N03EPQ56 |
od PLN 2,532*
za szt. |
|
|
|
Microchip Technology TC1413NCPA |
od PLN 4,63*
za szt. |
|
|
Taiwan Semiconductor TSM300NB06DCR RLG MOSFET 1 szt. (2 ofert) 2xN-Ch 60V 25A 40W 0,03R PDFN56 Dane techniczne: Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Seria (elementu półprzewodnikowego): TSM_CR(H) · Sposób montażu: mocowani... |
Taiwan Semiconductor TSM300NB06DCR RLG |
od PLN 3,25*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 300mA, SOT-523 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=XP222N03015R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas narastania=11 ns, Czas opadania=32 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=11 ns, Napięcie bramka-... |
Torex Semiconductor XP222N03015R-G |
od PLN 0,137*
za szt. |
|
|
MOSFET 60 A LSON 600 V SMD (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = LSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba elementów... |
Infineon IGLD60R070D1AUMA3 |
od PLN 26,271*
za szt. |
|
|
|
Microchip Technology TC4422EPA |
od PLN 13,959*
za szt. |
|
|
Taiwan Semiconductor TSM680P06CP ROG MOSFET 1 szt. (2 ofert) P-Ch 60 V 18 A 20 W 0,068R TO252 Dane techniczne: Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Seria (elementu półprzewodnikowego): TSM680P · Sposób montażu: mocowanie... |
Taiwan Semiconductor TSM680P06CP ROG |
od PLN 1,78*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 300mA, SOT-723 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP222N03017R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas narastania=11 ns, Czas opadania=32 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=11 ns, Napięcie bramka-... |
Torex Semiconductor XP222N03017R-G |
od PLN 0,40*
za szt. |
|
|
MOSFET 66 A PG-TO 220 650 V SMD (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 66 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PG-TO 220 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
Infineon IPAN60R125PFD7SXKSA1 |
od PLN 7,505*
za szt. |
|
|
|
Microchip Technology TC4424EOE |
od PLN 6,31*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał P, 30V, 3A, SOT-23 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=TSM3401CX RFG, Ciągły prąd drenu (Id)=3 A, Czas narastania=2.33 ns, Czas opadania=3.87 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=22.53 ns, Czas opóźnienia włączenia=10.8 ns, Napięcie br... |
Taiwan Semiconductor TSM3401CX RFG |
od PLN 1,00*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 7,983*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 11,83*
za szt. |
|
|
Taiwan Semiconductor TSM850N06CX RFG MOSFET 1 szt. (2 ofert) N-Ch 60V 3A 1,56W 0,085R SOT23 Dane techniczne: Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Seria (elementu półprzewodnikowego): TSM_CX · Sposób montażu: mocowanie PC... |
Taiwan Semiconductor TSM850N06CX RFG |
od PLN 0,88*
za szt. |
|
|
MOSFET 60 A HSOF 600 V SMD (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = HSOF Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba elementów... |
|
od PLN 26,741*
za szt. |
|
|
