MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 468/1 529)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

MOSFET B4E 65 V SMD 1 Ω (1 Oferta)

Maksymalne napięcie dren-źródło = 65 V Seria = RF2L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 1 Ω Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.5V

ST Microelectronics

RF2L16180CB4

od PLN 62 513,1108*
za 120 szt.

IC: driver; sterownik bramkowy MOSFET; SO8; 1,5A; Ch: 2; 4,5÷18V (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Temperatura pracy: 0...70°C Obudowa: SO8 Napięcie pracy: 4,5...18V Prąd wyjściowy: 1,5A Typ układu scalonego: driver Czas narastania impulsu: 25ns Czas o...

Microchip Technology

TC428COA

od PLN 3,79*
za szt.

Infineon IRFB7546 tranzystor 150 V (3 ofert)

Infineon

IRFB7546PBF

od PLN 1,801*
za szt.

MOSFET B4E 110 V SMD 1 Ω (1 Oferta)

Maksymalne napięcie dren-źródło = 110 V Typ opakowania = B4E Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 1 Ω Maksymalne napięcie progowe VGS = 3V

ST Microelectronics

RF5L08350CB4

od PLN 70 548,8208*
za 120 szt.

IC: driver; sterownik bramkowy MOSFET; SO8; -1,5÷1,5A; 0,8÷11,2V (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...85°C Obudowa: SO8 Napięcie zasilania: 6,1...18V DC Napięcie wyjściowe: 0,8...11,2V Prąd wyjściowy: -1,5...1,5A Typ układu scalonego: driver Cz...

onsemi

MC33152DR2G

od PLN 3,00*
za szt.

MOSFET AG-EASY3B 2000 V SMD (1 Oferta)

Maksymalne napięcie dren-źródło = 2000 V Typ opakowania = AG-EASY3B Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

SP005677961

od PLN 1 109,54*
za szt.

IC: driver; sterownik bramkowy MOSFET; SO16; 1mA; Ch: 1; 10÷450V (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...85°C Obudowa: SO16 Napięcie pracy: 10...450V Prąd wyjściowy: 1mA Typ układu scalonego: driver Czas narastania impulsu: 30ns Czas...

Microchip Technology

HV9901NG-G

od PLN 14,50*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 150A, TO-220AB (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET, Typ=DIT150N03, Ciągły prąd drenu (Id)=150 A, Czas narastania=24 ns, Czas opadania=39 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=91 ns, Czas opóźnienia włączenia=26 ns, Napięcie bramka-źródło...

Diotec

DIT150N03

od PLN 3,73*
za szt.

MOSFET B4E 65 V SMD 1 Ω (1 Oferta)

The STMicroelectronics RF2L16180CB4 is 180 W, 28 V internally matched LDMOS transistor designed for multicarrier WCDMA/PCS/DCS/LTE base station and ISM applications with frequencies from 1300 to 16...

ST Microelectronics

RF2L16180CB4

od PLN 588,668*
za szt.

IC: driver; sterownik bramkowy MOSFET; SO8; 1,2A; Ch: 2; 4,5÷16V (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Temperatura pracy: 0...70°C Obudowa: SO8 Napięcie pracy: 4,5...16V Prąd wyjściowy: 1,2A Typ układu scalonego: driver Czas narastania impulsu: 30ns Czas o...

Microchip Technology

TC1426COA

od PLN 2,95*
za szt.

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 Oferta)

Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Diodes

DMT10H4M9SPSW-13

od PLN 9 207,55*
za 2 500 szt.

IC: driver; sterownik bramkowy MOSFET; SO8; 1,5A; Ch: 2; 4,5÷18V (1 Oferta)

Microchip Technology

TC426COA

od PLN 3,28*
za szt.

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 Oferta)

Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Diodes

DMT10H4M9LPSW-13

od PLN 9 316,525*
za 2 500 szt.

IC: driver; sterownik bramkowy MOSFET; SO8; 1,2A; Ch: 2; 4,5÷16V (1 Oferta)

Microchip Technology

TC1427COA

od PLN 4,72*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 1A, SOT-23 (2 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=XP151A11B0MR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=1 A, Czas narastania=15 ns, Czas opadania=45 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=25 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źró...

Torex Semiconductor

XP151A11B0MR-G

od PLN 0,85*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 461 462 463 464 465 466 467 468 469 470 471 .. 1529 Dalej

MOSFET (22 935 ofert spośród 5 040 021 artykułów)

"MOSFET"