Podgląd | "MOSFET"Pojęcia nadrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
MOSFET 51 A PDFN56 60 V 13 m.Ω (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 51 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = TSM025 Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 13 m.Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napię... |
Taiwan Semiconductor TSM130NB06LCR |
od PLN 3,555*
za szt. |
| |
|
Microchip Technology TC1412NCPA |
od PLN 4,03*
za szt. |
| |
Taiwan Semiconductor TSM2N7002AKCX RFG MOSFET 1 szt. (2 ofert) N-Ch 60 V 0,3 A 0,357 W 4R SOT23 Dane techniczne: Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Seria (elementu półprzewodnikowego): TSM2N7002 · Sposób montażu: mocowan... |
Taiwan Semiconductor TSM2N7002AKCX RFG |
od PLN 0,30*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 3.7A, SC-59 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BSR802NL6327HTSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=3.7 A, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=4.1 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=26 ns, Czas opóźnienia włączenia=9.8 ns, Napięcie bra... |
Infineon BSR802NL6327HTSA1 |
od PLN 0,541*
za szt. |
| |
MOSFET 60 A DSO 600 V SMD (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = DSO Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 20 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba elementów... |
|
od PLN 29,686*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał P, 20V, 4.7A, SOT-23 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=TSM500P02CX RFG, Ciągły prąd drenu (Id)=4.7 A, Czas narastania=21.6 ns, Czas opadania=13.8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=51 ns, Czas opóźnienia włączenia=6 ns, Napięcie bram... |
Taiwan Semiconductor TSM500P02CX RFG |
od PLN 0,84*
za szt. |
| |
|
Infineon BSR202NL6327HTSA1 |
od PLN 0,735*
za szt. |
| |
MOSFET 63 A PG-TO247 SMD (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 63 A Typ opakowania = PG-TO247 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
Infineon IPW65R035CFD7AXKSA1 |
od PLN 33,466*
za szt. |
| |
|
Microchip Technology TC4467COE |
od PLN 10,13*
za szt. |
| |
Taiwan Semiconductor TSM2NB60CP ROG MOSFET 1 szt. (2 ofert) N-Ch 600V 2A 44W 4.4R TO252 Dane techniczne: Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Seria (elementu półprzewodnikowego): TSM_CP · Sposób montażu: mocowanie PCB ·... |
Taiwan Semiconductor TSM2NB60CP ROG |
od PLN 2,49*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 300mA, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP222N0301TR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas narastania=11 ns, Czas opadania=32 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=11 ns, Napięcie bramka-... |
Torex Semiconductor XP222N0301TR-G |
od PLN 0,40*
za szt. |
| |
MOSFET 644 A PDFN56 40 V 2.5 m.Ω (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 644 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = TSM025 Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 2.5 m.Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne nap... |
Taiwan Semiconductor TSM025NB04CR |
PLN 5,60*
za szt. |
| |
|
Analog Devices MAX4420CPA+ |
od PLN 9,64*
za szt. |
| |
Taiwan Semiconductor TSM650P02CX RFG MOSFET 1 szt. (2 ofert) P-Ch 20 V 4,1 A 1,56 W 0,065 R SOT23 Dane techniczne: Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Seria (elementu półprzewodnikowego): TSM650P · Sposób montażu: mocow... |
Taiwan Semiconductor TSM650P02CX RFG |
od PLN 0,85*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 300mA, SOT-323 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP222N03013R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas narastania=11 ns, Czas opadania=32 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=11 ns, Napięcie bramka-... |
Torex Semiconductor XP222N03013R-G |
od PLN 0,40*
za szt. |
| |
|
