Podgląd | "MOSFET"Pojęcia nadrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 1.9A, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=BSH108,215, Ciągły prąd drenu (Id)=1.9 A, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=26 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=15 ns, Czas opóźnienia włączenia=3 ns, Napięcie bramka-źródło=... |
|
od PLN 0,83*
za szt. |
| |
MOSFET 90 A H2PAK-7 1200 V SMD 0.21 O. (1 Oferta) Urządzenie MOSFET z HM-krzemu STMicroelectronics zostało opracowane przy użyciu technologii ST Advanced i innowacyjnej technologii SIC MOSFET drugiej generacji. Urządzenie charakteryzuje się wyjątk... |
ST Microelectronics SCTH70N120G2V-7 |
od PLN 258,691*
za szt. |
| |
|
Microchip Technology MCP1404-E/SO |
od PLN 9,41*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 173A, TO-220 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFB7537PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=173 A, Czas narastania=105 ns, Czas opadania=84 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=82 ns, Czas opóźnienia włączenia=15 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 2,441*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 1,096*
za szt. |
| |
MOSFET B2 60 V SMD 1 Ω (1 Oferta) The STMicroelectronics RF2L36075CF2 is a 75 W internally matched LDMOS transistor designed for multicarrier WCDMA/PCS/DCS/LTE base stations and S-Band radar applications in the frequency range from... |
ST Microelectronics RF2L36075CF2 |
od PLN 54 540,1308*
za 120 szt. |
| |
|
|
od PLN 4,05*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 10A, PQFN (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFHM8363TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=10 A, Czas narastania=94 ns, Czas opadania=33 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=12 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 3,34*
za szt. |
| |
MOSFET AG-EASY3B 2000 V SMD (1 Oferta) Maksymalne napięcie dren-źródło = 2000 V Typ opakowania = AG-EASY3B Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
|
od PLN 9 135,96*
za 8 szt. |
| |
|
Microchip Technology TC4423COE |
od PLN 6,14*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 1,237*
za szt. |
| |
MOSFET 80 A PDFN56 30 V 8.5 m.Ω (1 Oferta) Tranzystory MOSFET z jednokanalowym zasilaniem Taiwan Semiconductor N to „tranzystory polowe półprzewodnikowe z tlenkiem metalu”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tranzystorowymi sterowanymi prz... |
Taiwan Semiconductor TSM055N03PQ56 |
od PLN 2,771*
za szt. |
| |
|
Microchip Technology MCP14A0602-E/MS |
od PLN 4,52*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 2,487*
za szt. |
| |
MOSFET B2 60 V SMD 1 Ω (1 Oferta) Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = B2 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 2 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 1 Ω Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.5V |
ST Microelectronics RF2L36075CF2 |
od PLN 513,188*
za szt. |
| |
|
