Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

MOSFET 60 A HiP247-4 1200 V 5.2e+007 Ω


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2300094
Producent:
     ST Microelectronics
Nr producenta:
     SCTWA60N120G2-4
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
MOSFET
Tranzystor MOSFET
Tranzystory MOSFET
tranzystor mosfet
The STMicroelectronics SCTWA60N is silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.Very fast and robust intrinsic body diode Extremely low gate charge and input capacitance Source sensing pin for increased efficiency
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd drenu:
60 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:
1200 V
Typ opakowania:
HiP247-4
Seria:
SCTW
Typ montażu:
Otwór przezierny
Liczba styków:
4
Maksymalna rezystancja dren-źródło:
5.2e+007 Ω
Maksymalne napięcie progowe VGS:
5V
Dalsze słowa kluczowe: 2300094, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, STMicroelectronics, SCTWA60N120G24
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 99,024*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 148,236*
PLN 182,33
za szt.
od 2 szt.
PLN 132,159*
PLN 162,556
za szt.
od 5 szt.
PLN 114,794*
PLN 141,197
za szt.
od 10 szt.
PLN 113,134*
PLN 139,155
za szt.
od 20 szt.
PLN 112,014*
PLN 137,777
za szt.
od 3000 szt.
PLN 99,024*
PLN 121,80
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.