Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 035 ofert spośród 4 840 858 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET P-kanałowy 3,1 A U-DFN2020 20 V SMD 0.09 O. (1 Oferta) 
Tryb wzmocnienia dwukanalikowego P systemu DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu (RDS(ON)), a jednocześnie zapewnić doskonałą wydajność przełączania, ...
Diodes
DMP2045UFDB-7
od PLN 1 540,68*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; -20V; -1,5A; Idm: -6A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana:...
ROHM Semiconductor
QS5U21TR
od PLN 0,64*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 21 A PowerDI5060-8 30 V SMD Pojedynczy 3 W 6 miliomów (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerDI5060-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja...
Diodes
DMP34M4SPS-13
od PLN 1,627*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; -20V; -1,5A; Idm: -6A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana:...
ROHM Semiconductor
QS5U27TR
od PLN 0,76*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 3,44 A PG-SO 8 60 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,44 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-SO 8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BSO613SPVGXUMA1
od PLN 1,62227*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 30.6 A MLPAK33 12 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 30.6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 12 V Typ opakowania = MLPAK33 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Nexperia
PXP3R7-12QUJ
od PLN 2,556*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -10A; 300W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 414ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Po...
IXYS
IXTQ10P50P
od PLN 16,79*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 3,2 A PowerPAK SO-8 60 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SI7465DP-T1-E3
od PLN 2,054*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -20V; -0,44A; 0,4W; SOT563 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -440mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,4W P...
Diodes
DMP2004VK-7
od PLN 0,51*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 210 mA SOT 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 210 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT Typ montażu = Montaż powierzchniowy
ROHM Semiconductor
BSS84WAHZGT106
od PLN 2,565*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; -30V; -2A; Idm: -8A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,225Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: ...
ROHM Semiconductor
QS5U33TR
od PLN 0,84*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 30/-30V (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOP6 Napięcie dren-źródło: 30/-30V Prąd drenu: 2,7/-1,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60/115mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc roz...
Alpha & Omega Semiconductor
AO6601
od PLN 0,38*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 31 A DPAK (TO-252) 55 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 31 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
AUIRFR5305TR
od PLN 7,312*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -40A; 890W; 477ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 477ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: ...
IXYS
IXTX40P50P
od PLN 57,47*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 3,2 A U-DFN2020 20 V SMD 0.9 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Seria = DMP2090UFDB Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źród...
Diodes
DMP2090UFDB-7
od PLN 2,43*
za 5 szt.
 
 opakowania
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1081   1082   1083   1084   1085   1086   1087   1088   1089   1090   1091   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.