Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 035 ofert spośród 4 840 858 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET P-kanałowy 3,5 A TSMT-8 60 V SMD 0.078 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET ROHM Power ma typ pakietu TSMT6. Jest on używany głównie do przełączania i przełączania obciążenia.Niska rezystancja włączenia Mały pakiet formy o dużej mocy Bez Pb, zgodny z RoHS...
ROHM Semiconductor
RQ6L035ATTCR
od PLN 1,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -26A; 300W; 240ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 240ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 3...
IXYS
IXTP26P20P
od PLN 15,56*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 38 A D2PAK (TO-263) 100 V SMD 0.06 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 38 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
Infineon
AUIRF5210STRL
od PLN 16,033*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -30V; -3,3A; Idm: -15A; 1,8W (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -3,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,8W Polar...
Diodes
DMP3098LSD-13
od PLN 0,56*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 44 A 1212-8SLW 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 44 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = 1212-8SLW Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzen...
Vishay
SQS181ELNW-T1_GE3
od PLN 3,672*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -140A; 568W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 568...
IXYS
IXTT140P10T
od PLN 53,44*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 35 A DPAK (TO-252) 40 V SMD 0.191 Ω (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET ROHM Power ma TYP OPAKOWANIA TO-252. Jest on używany głównie do przełączania.Niska rezystancja włączenia Wysoka szybkość przełączania Możliwość uproszczenia układów zasilających U...
ROHM Semiconductor
RD3G03BATTL1
od PLN 1,70*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 3,5 A X4-DSN1515-9 115 V (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 115 V Typ opakowania = X4-DSN1515-9
Diodes
DMT12H060LCA9-7
od PLN 2,116*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -48A; 462W; 260ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 260ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 46...
IXYS
IXTH48P20P
od PLN 29,13*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 39,5 A PG-TSDSON-8 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 39,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PG-TSDSON-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BSZ180P03NS3EGATMA1
od PLN 0,90*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -30V; -5,7A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -5,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipola...
Vishay
SI4925BDY-T1-E3
od PLN 2,75*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 445 A PowerPAK 8 x 8L 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 445 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerPAK 8 x 8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów na...
Vishay
SQJQ130EL-T1_GE3
od PLN 10,04*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -170A; 890W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 176ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: ...
IXYS
IXTX170P10P
od PLN 58,54*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 350 mA X2-DFN0806-6 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 350 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = X2-DFN0806-6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Diodes
DMP22D5UDA-7B
od PLN 1 484,80*
za 10 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -150V; -36A; 300W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 228ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...
IXYS
IXTQ36P15P
od PLN 17,08*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1081   1082   1083   1084   1085   1086   1087   1088   1089   1090   1091   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.