Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 967 ofert spośród 4 907 048 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET P-kanałowy 35 A PowerPAK 1212-8SH 30 V SMD Pojedynczy 52 W 13 miliomów (2 ofert) 
P-Channel 30 V (D-S) tranzystora MOSFET.Układ MOSFET zasilania TrenchFET®
Vishay
SiSH101DN-T1-GE3
od PLN 1,095*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -200V; -120A; 1040W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: ...
IXYS
IXTX120P20T
od PLN 88,85*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 4,2 A TSOT-26 20 V SMD 0,065 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Seria = DMP2067 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Diodes
DMP2067LVT-7
PLN 0,294*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -100V; -3,6A; 42W; DPAK,TO252 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: DPAK;TO252 Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -3,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 42W Polaryzacja: u...
Vishay
IRFR9120PBF
od PLN 1,29*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 445 A PowerPAK 8 x 8L 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 445 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerPAK 8 x 8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów na...
Vishay
SQJQ130EL-T1_GE3
od PLN 10,09*
za szt.
 
 szt.
Infineon
SPD04P10PLGBTMA1
od PLN 1,32*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 44,4 A SO-8L 80 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 44,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = SO-8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
Vishay
SIJ4819DP-T1-GE3
od PLN 6,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -26A; 150W; 70ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 70ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 150W ...
IXYS
IXTY26P10T
od PLN 8,31*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 36 A SO-8 30 V SMD 0.0046 O. (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
Vishay
SI4497DY-T1-GE3
od PLN 3,374*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -200V; -68A; 568W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 245ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -68A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 56...
IXYS
IXTH68P20T
od PLN 47,00*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 4,5 A PowerPAK SC-70 12 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 12 V Typ opakowania = PowerPAK SC-70 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SIA533EDJ-T1-GE3
od PLN 0,885*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -100V; -36A; 180W; TO247-3; 180ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 180ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 18...
IXYS
IXTH36P10
od PLN 8,58*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 46 A PowerPAK SO-8 80 V SMD 0.0193 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
Vishay
SI7469ADP-T1-RE3
od PLN 3,485*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 5 A TSMT-8 40 V SMD 0.41 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TSMT-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źr...
ROHM Semiconductor
QH8JB5TCR
od PLN 1,55*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -150V; -10A; 83W; 120ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 8...
IXYS
IXTP10P15T
od PLN 7,39*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1081   1082   1083   1084   1085   1086   1087   1088   1089   1090   1091   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.