Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 035 ofert spośród 4 840 858 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -48A; 462W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 260ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 462W...
IXYS
IXTT48P20P
od PLN 33,37*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 3,8 A U-DFN2020 20 V SMD 1,4 W 137 mΩ (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET został zaprojektowany w taki sposób, aby zminimalizować odporność na zmiany stanu (RDS(ON)), a przy tym zachować najwyższą wydajność przełączania, co czyni go idealnym rozwiązanie...
Diodes
DMP2075UFDB-7
od PLN 0,601*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -20A; 460W; 406ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 406ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 4...
IXYS
IXTH20P50P
od PLN 29,12*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 4 A SOT-346T 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOT-346T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
ROHM Semiconductor
RRR040P03HZGTL
od PLN 0,956*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -60V; -2,7A; Idm: -24A; 1,2W (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -60V Prąd drenu: -2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,105Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,2W Pol...
Diodes
DMP6110SSD-13
od PLN 0,72*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 5 A TSMT-8 40 V SMD 0.04 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET ROHM Power ma typ pakietu TSMT6. Jest on używany głównie do przełączania i przełączania obciążenia.Niska rezystancja włączenia Mały pakiet formy o dużej mocy Bez Pb, zgodny z RoHS...
ROHM Semiconductor
RQ6G050ATTCR
od PLN 0,994*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -150V; -10A; 83W; 120ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 8...
IXYS
IXTP10P15T
od PLN 7,36*
za szt.
 
 szt.
Infineon
AUIRF5210STRL
od PLN 10 548,832*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -90A; 890W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 315ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 890W...
IXYS
IXTK90P20P
od PLN 59,20*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 3,9 A SOT-23 30 V SMD 0.099 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-...
Diodes
DMP3097L-7
od PLN 1,52*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -600V; -10A; 190W; 440ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 440ns Napięcie dren-źródło: -600V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,79Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszan...
IXYS
IXTR16P60P
od PLN 36,40*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 5 A TSMT-8 60 V SMD 0.39 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TSMT-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źr...
ROHM Semiconductor
RQ7L050ATTCR
od PLN 1,875*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -150V; -44A; 298W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W...
IXYS
IXTA44P15T
od PLN 14,44*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSZ180P03NS3EGATMA1
od PLN 1,044*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -13A; 190W; 406ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 406ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,49Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszan...
IXYS
IXTR20P50P
od PLN 35,90*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1091   1092   1093   1094   1095   1096   1097   1098   1099   1100   1101   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.