Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 035 ofert spośród 4 840 849 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET P-kanałowy 4 A SOT-23 20 V SMD 0.113 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źr...
Diodes
DMP2065UQ-7
od PLN 2,095*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -195A; 390W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -195A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana...
IXYS
IXTR210P10T
od PLN 95,43*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 5,1 A DPAK (TO-252) 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
IRFR9014PBF
od PLN 1,628*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -30V; -3,2A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -3,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 68mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,2W Polaryz...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL3407A
od PLN 0,217*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 550 mA SOT-363 30 V SMD 1.7 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 550 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOT-363 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dre...
Diodes
DMP31D7LDWQ-7
od PLN 0,29*
za szt.
 
 szt.
Infineon BSZ120P03NS3 G tranzystor 30 V (1 Oferta)
Infineon
BSZ120P03NS3GATMA1
od PLN 5 783,46*
za 5 000 szt.
 
 zezwój
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -18A; 83W; 62ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 62ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 83...
IXYS
IXTP18P10T
od PLN 4,97*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 4 A SOT-363 12 V SMD 0.034 O. (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 12 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Vishay
SI1401EDH-T1-GE3
od PLN 0,41*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -76A; 298W; 70ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 70ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -76A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298...
IXYS
IXTH76P10T
od PLN 19,91*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 5,2 A TSOT-26 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = TSOT-26 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6
Diodes
DMP3050LVTQ-7
od PLN 0,982*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -30V; -4,1A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -4,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryza...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS9435A
od PLN 1,10*
za 5 szt.
 
 opakowanie
MOSFET P-kanałowy 59,2 A 1212-8S 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 59,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = 1212-8S Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzen...
Vishay
SISS4409DN-T1-GE3
od PLN 10 417,65*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET P-kanałowy 42 A PowerFLAT 5 x 6 60 V SMD Pojedynczy 100 W 34 miliomy (2 ofert) 
P-Channel STripFET™ Moc energetyczna MOSFET, STMicroelectronics. Tranzystory MOSFET STripFET™ o szerokim zakresie napięć zasilających zapewniają bardzo niski poziom naładowania bramki i niską rezys...
ST Microelectronics
STL42P6LLF6
od PLN 3,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -18A; 83W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 62ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 83W ...
IXYS
IXTY18P10T
od PLN 8,21*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 4,1 A SOT-23 40 V SMD 0.188 O. (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-...
Vishay
SQ2389ES-T1_GE3
od PLN 0,94*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1091   1092   1093   1094   1095   1096   1097   1098   1099   1100   1101   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.