Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 953 ofert spośród 4 927 581 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -200V; -32A; 300W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 190ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,13Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 3...
IXYS
IXTP32P20T
od PLN 21,50*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 4,3 A SOT-23 20 V SMD Pojedynczy 1,2 W 90 miliomów (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET został zaprojektowany w taki sposób, aby zminimalizować odporność na zmiany stanu (RDS(ON)), a przy tym zachować najwyższą wydajność przełączania, co czyni go idealnym rozwiązanie...
Diodes
DMP2045U-7
od PLN 0,24*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 4,5 A TSMT-6 30 V SMD 0.035 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = RRQ045 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
ROHM Semiconductor
RRQ045P03HZGTR
od PLN 2,047*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -150V; -15A; 150W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 116ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1...
IXYS
IXTP15P15T
od PLN 8,80*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 5 A TSMT-8 40 V SMD 0.41 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TSMT-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źr...
ROHM Semiconductor
QH8JB5TCR
od PLN 1,55*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -22A; 312W; 477ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 477ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszan...
IXYS
IXTR40P50P
od PLN 63,18*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 4,5 A DFN1616-7T 30 V SMD 0.48 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET ROHM POWER ma TYP OPAKOWANIA TO-220AB. Jest on używany głównie do przełączania.Niska rezystancja włączenia Mała tłoczona obudowa o wysokiej mocy. Bez Pb, zgodny z RoHS
ROHM Semiconductor
RW4E045ATTCL1
od PLN 5,42*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -50V; -140A; 298W; 53ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 53ns Napięcie dren-źródło: -50V Prąd drenu: -140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W P...
IXYS
IXTA140P05T
od PLN 17,73*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 4,5 A DFN1616-7T 30 V SMD 0.48 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = DFN1616-7T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja d...
ROHM Semiconductor
RW4E045ATTCL1
od PLN 1,101*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 40 A PG-TDSON-8 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PG-TDSON-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BSZ120P03NS3GATMA1
od PLN 11,778*
za 5 szt.
 
 paczka
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -200V; -120A; 1040W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: ...
IXYS
IXTX120P20T
od PLN 88,60*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 5,1 A DPAK (TO-252) 60 V SMD (3 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
IRFR9014PBF
od PLN 1,199*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -600V; -18A; 310W; 480ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 480ns Napięcie dren-źródło: -600V Prąd drenu: -18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,385Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozprasza...
IXYS
IXTR32P60P
od PLN 63,13*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 4,5 A PowerPAK SC-75 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerPAK SC-75 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SIB4317EDK-T1-GE3
od PLN 3,26*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -50V; -140A; 298W; 53ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 53ns Napięcie dren-źródło: -50V Prąd drenu: -140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W...
IXYS
IXTH140P05T
od PLN 24,55*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1091   1092   1093   1094   1095   1096   1097   1098   1099   1100   1101   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.