 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 2,116*
za szt. |
|
|
|
YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301D |
od PLN 2,04*
za 20 szt. |
|
|
MOSFET P-kanałowy 3,4 A SOIC 55 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 2 |
|
od PLN 7,231*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 96,37*
za szt. |
|
|
MOSFET P-kanałowy 31 A DPAK (TO-252) 55 V SMD 0.065 Ω (1 Oferta) Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 31 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0... |
|
od PLN 7,354*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 15,53*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1 484,20*
za 10 000 szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor QS5U21TR |
od PLN 0,64*
za szt. |
|
|
MOSFET P-kanałowy 3,6 A SOIC 30 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba e... |
|
od PLN 1,005*
za szt. |
|
|
|
YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301C |
od PLN 1,05*
za 10 szt. |
|
|
MOSFET P-kanałowy 3,5 A DFN2020 40 V SMD 1.22 Ω (1 Oferta) Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = DFN2020 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren... |
ROHM Semiconductor UT6JB5TCR |
od PLN 1,175*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 14,55*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,746*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 16,60*
za szt. |
|
|
MOSFET P-kanałowy 36 A TO-247 650 V (1 Oferta) Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon IPW65R060CFD7XKSA1 |
od PLN 22,532*
za szt. |
|
|
