MOSFET P-kanałowy 210 mA SOT 60 V SMD

Liczba:

opakowania

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-2523115

Producent:
ROHM Semiconductor

Nr producenta:
BSS84WAHZGT106

EAN/GTIN:
brak danych

Słowa kluczowe:

Typ kanału = P
Maksymalny ciągły prąd drenu = 210 mA
Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V
Typ opakowania = SOT
Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Dalsze informacje:


Typ kanału:	P
Maksymalny ciągły prąd drenu:	210 mA
Maksymalne napięcie dren-źródło:	60 V
Typ opakowania:	SOT
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy

Dalsze słowa kluczowe: 2523115, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, ROHM, BSS84WAHZGT106

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 2,555*

Cena obowiązuje od 300 000 opakowania

1 opakowanie zawiera 5 szt. (od PLN 0,511* za szt.)

Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 600 opakowania

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

od 600 opakowania	PLN 2,825*	PLN 3,47475	za opakowanie
od 1200 opakowania	PLN 2,805*	PLN 3,45015	za opakowanie
od 3000 opakowania	PLN 2,665*	PLN 3,27795	za opakowanie
od 6000 opakowania	PLN 2,615*	PLN 3,21645	za opakowanie
od 300000 opakowania	PLN 2,555*	PLN 3,14265	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.