 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 46,31*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 8 A Uce 600 V 1 PG-TO-220-3 42 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 8 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-TO-220-3 Typ montażu = Otwó... |
|
od PLN 2,534*
za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GN60BDQ3G |
od PLN 54,04*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1350 V PG-TO247-3 394 W (2 ofert) Dwubiegunowy tranzystor izolowany Infineon z przełączaniem dźwiękochłonnym o niskim napięciu nasycenia.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia el... |
|
od PLN 11,91*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 63ns Czas wyłączania: 1... |
|
od PLN 31,48*
za szt. |
|
|
|
Infineon IKW08N120CS7XKSA1 |
od PLN 11,43*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 198,44*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 79 A Uce 650 V PG-TO263-3 230 W (1 Oferta) Tranzystor dwubiegunowy z izolowaną bramką Infineon wysokiej prędkości 5. Generacji.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia elektromagnetyczne |
|
od PLN 11,371*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 150W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 43ns Czas wyłączania: 3... |
|
od PLN 46,49*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1,65 V TO-247 535 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1,65 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 535 W Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otw... |
ST Microelectronics STGWA80H65DFBAG |
od PLN 19,891*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 600 V PG-TO263-3 250 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = PG-TO263-3 Liczba styków... |
|
od PLN 27,831*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 82,09*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Napięcie kolektor-emiter: 3kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 42A Prąd kolektora w impulsie: 400A Czas załączania: 652ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 182,71*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 8 A Uce 600 V 1 PG-SOT223-3 7,2 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 8 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-SOT223-3 |
|
od PLN 1,756*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 42A; 360W; D3PAK (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 42A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 224ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 87,38*
za szt. |
|
|
