Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 80 A Uce 1,65 V TO-247 535 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2615072
Producent:
     ST Microelectronics
Nr producenta:
     STGWA80H65DFBAG
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1,65 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V
Maksymalna strata mocy = 535 W
Typ opakowania = TO-247
Typ montażu = Otwór przezierny
Liczba styków = 3
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1,65 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
20V
Maksymalna strata mocy:
535 W
Typ opakowania:
TO-247
Typ montażu:
Otwór przezierny
Liczba styków:
3
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2615072, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, STMicroelectronics, STGWA80H65DFBAG
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 19,891*
  
Cena obowiązuje od 7 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 30,818*
PLN 37,906
za szt.
od 5 szt.
PLN 28,518*
PLN 35,077
za szt.
od 10 szt.
PLN 25,994*
PLN 31,973
za szt.
od 15 szt.
PLN 24,732*
PLN 30,42
za szt.
od 20 szt.
PLN 23,091*
PLN 28,402
za szt.
od 50 szt.
PLN 22,561*
PLN 27,75
za szt.
od 7500 szt.
PLN 19,891*
PLN 24,466
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.