 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 22A; 195W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 22A Prąd kolektora w impulsie: 45A Czas załączania: 19ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT15GN120SDQ1G |
od PLN 32,86*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 8 A Uce 600 V 1 PG-SOT223-3 7,2 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 8 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-SOT223-3 |
|
od PLN 3 377,40*
za 3 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 631,08*
za 30 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 150W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 43ns Czas wyłączania: 3... |
|
od PLN 82,17*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon... |
|
od PLN 428,479*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGSX5TS65HRC11 |
od PLN 26,952*
za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GN120BG |
od PLN 27,73*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1,42 V 1 PG-TO247-4 395 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1,42 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 395 W Typ opakowania = PG-TO247-4 |
|
od PLN 15,783*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 90 A Uce 650 V PG-TO247-3 395 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 90 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 395 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczb... |
|
od PLN 17,86*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGSX5TS65EGC11 |
od PLN 24,822*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 77,32*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247 kanał: N 395 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 395 W Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Lic... |
|
od PLN 14,107*
za szt. |
|
|
|
Infineon IKFW90N60EH3XKSA1 |
od PLN 30,969*
za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GN120L2DQ2G |
od PLN 73,64*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V 1 PG-TO247 kanał: N 5 kW (2 ofert) Infineon 40 A IGBT z diodą antyrównoległą jest bardzo miękką, szybką diodą antyrównoległą z odzyskiwaniem i charakteryzuje się wysoką stabilnym zachowaniem w zakresie temperatury. Użyto niskiego po... |
Infineon IKY40N120CS6XKSA1 |
od PLN 19,494*
za szt. |
|
|
