 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V 1 TO-247N 555 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 555 W Typ opakowania = TO-247N Liczba styków = 3 |
ROHM Semiconductor RGS80TSX2DGC11 |
od PLN 33,543*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 120A; 830W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 120A Prąd kolektora w impulsie: 600A Czas załączania: 105ns Czas wyłącza... |
|
od PLN 109,97*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 21A; 357W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 265A Czas załączania: 33ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 82,59*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1,65 V TO-247 535 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1,65 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 535 W Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otw... |
ST Microelectronics STGWA80H65DFBAG |
od PLN 17,679*
za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT15GN120BDQ1G |
od PLN 28,35*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1,42 V 1 PG-TO247-4 395 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1,42 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza |
|
od PLN 23,283*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 79,68*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V 30 TO-247 153 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 153 W Typ opakowania = TO-247 |
|
od PLN 25,94*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 12A; 100W; TO220-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 12A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 202ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 8,92*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 1 TO-263 kanał: N 270 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 270 W Typ opakowania = TO-263 Typ kanału = N Lic... |
|
od PLN 6,58*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 6A; 75W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 6A Prąd kolektora w impulsie: 36A Czas załączania: 104ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 26,72*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V 1 TO-247N 555 W (1 Oferta) ROHM Field stop trench IGBT używane głównie w falowniku, UPS, falowniku PV i kondycjonerze mocy. Rozpraszanie mocy wynosi 555 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wytrzymania zwar... |
ROHM Semiconductor RGS80TSX2DGC11 |
od PLN 33,519*
za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT35GN120L2DQ2G |
od PLN 44,24*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V 1 PG-TO247 kanał: N 5 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 25V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-TO247 Typ kanału = N Liczba ... |
Infineon IKY40N120CS6XKSA1 |
od PLN 19,574*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 209,16*
za szt. |
|
|
