 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Konfiguracja = Emiter wspólny Typ montaż... |
|
od PLN 393,031*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
|
od PLN 518,143*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1,42 V 1 PG-TO247-4 395 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1,42 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 395 W Typ opakowania = PG-TO247-4 |
|
od PLN 15,843*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon... |
Infineon FP75R12N2T7B11BPSA1 |
od PLN 499,936*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 74 A Uce 650 V PG-TO247-3 250 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 74 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczb... |
|
od PLN 22,922*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon... |
Infineon FP75R12N2T7B11BPSA1 |
od PLN 2 959,30*
za 10 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 90A; 325W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Prąd kolektora: 90A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 325W Rodzaj opakowania: tuba Cena jednostkowa... |
|
od PLN 24,73*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 6 kanał: N 280 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W Konfiguracja = Emiter wspólny Typ montaż... |
|
od PLN 429,702*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,6kV; 16A; 250W (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024c Napięcie kolektor-emiter: 1,6kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 16A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 260ns C... |
|
od PLN 77,97*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 74 A Uce 650 V PG-TO247-3 333 W (1 Oferta) Tranzystor dwubiegunowy z przełączaniem wysokoprędkościowym Infineon z izolowaną bramką i pełnym prądem znamionowym z diodą antyrównoległą Rapid 1.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem ... |
|
od PLN 12,184*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 900V; 35A; 290W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 35A Prąd kolektora w impulsie: 105A Czas załączania: 25ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT35GA90B |
od PLN 28,62*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Konfiguracja = 3-fazowe Typ montażu = Mo... |
|
od PLN 418,949*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 47,02*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 462,3402*
za 30 szt. |
|
|
IGBT Ic 79 A Uce 650 V PG-TO263-3 230 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 79 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 230 W Typ opakowania = PG-TO263-3 Liczb... |
|
od PLN 6,662*
za szt. |
|
|
