 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 74 A Uce 650 V PG-TO220-3 250 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 74 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = PG-TO220-3 Liczb... |
|
od PLN 6,10*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 79 A Uce 650 V PG-TO263-3 230 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 79 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 230 W Typ opakowania = PG-TO263-3 Liczb... |
|
od PLN 8,218*
za szt. |
|
|
|
Infineon IKWH70N65WR6XKSA1 |
od PLN 14,771*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszan... |
|
od PLN 14,62*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 74 A Uce 650 V PG-TO247-3 250 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 74 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczb... |
Infineon AIKW40N65DF5XKSA1 |
od PLN 20,29*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 90A; 325W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Prąd kolektora: 90A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 325W Rodzaj opakowania: tuba |
|
od PLN 24,35*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOK50B65M2 |
od PLN 9,12*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 1 PG-TO247 kanał: N 275 W (2 ofert) Infineon IKW50N65EH5 to wysokoprędkościowe tranzystory IGBT z twardym przełączaniem o napięciu 650 V, które współpracują z technologią diod Rapid si. Ma wyższą gęstość mocy i ma niskie COE/EOSS.Wsp... |
|
od PLN 14,452*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 70 A Uce 650 V 1 TO-247GE 234 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 70 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGTH80TS65GC13 |
od PLN 13,162*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 74 A Uce 650 V PG-TO263-3 250 W (1 Oferta) Tranzystor bibiegunowy z szybką przełączaniem i izolowaną bramką Infineon o pełnym natężeniu prądu, wyposażony w szybką i miękką diodę antyrównoległą Rapid 1.Wysoka sprawność Niskie straty przy prz... |
|
od PLN 12,104*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 900V; 35A; 290W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 35A Prąd kolektora w impulsie: 105A Czas załączania: 25ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT35GA90B |
od PLN 28,21*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP75R12N3T7B11BPSA1 |
od PLN 563,506*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 53,5A; 136W; TO247-3; H5 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 53,5A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 22... |
Infineon AIKW50N65DH5XKSA1 |
od PLN 23,63*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 71 A Uce 650 V 1 TO-247GE 202 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 71 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWS80TS65DGC13 |
od PLN 11,722*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOK50B65H1 |
od PLN 10,34*
za szt. |
|
|
