 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w impulsie: 120A Czas załączania: 31ns... |
Infineon AIKW40N65DH5XKSA1 |
od PLN 19,06*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 70 A Uce 650 V 1 TO-247GE 234 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 70 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 234 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGTH80TS65DGC13 |
od PLN 14,951*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszan... |
|
od PLN 14,78*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 7,5 A Uce 600 V 1 PG-SOT223-3 6,8 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 7,5 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-SOT223-3 |
|
od PLN 2,174*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 68 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 291 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 68 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 291 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = ... |
|
od PLN 128,424*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 93A; 536W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 93A Prąd kolektora w impulsie: 225A Czas załączania: 95ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT75GN60LDQ3G |
od PLN 43,25*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 65 A Uce 600 V 1 TO-247GE 148 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 65 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 148 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGCL80TS60DGC13 |
od PLN 7 129,284*
za 600 szt. |
|
|
IGBT Ic 70 Uce 650 V 1 TO-247GE 2.34 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 70 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGT80TS65DGC13 |
od PLN 8,589*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 70 A Uce 650 V 1 TO-247GE 234 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 70 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 234 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGTH80TS65DGC13 |
od PLN 14,355*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 650 V PG-TO247-3 282 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 282 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczba styków... |
|
od PLN 7,721*
za szt. |
|
|
|
Infineon IKWH70N65WR6XKSA1 |
od PLN 13,127*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOT10B65M2 |
od PLN 3,13*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 65 A Uce 650 V PG-TO247-3 160 W (1 Oferta) Infineon IHW30N65R6 to 650 V, 30 A IGBT z monolitycznie zintegrowaną diodą w PAKIECIE TO-247 z monolitycznie zintegrowaną diodą, zaprojektowana z myślą o spełnieniu wymagających wymagań zastosowań ... |
|
od PLN 1 398,6408*
za 240 szt. |
|
|
IGBT Ic 71 A Uce 650 V 1 TO-247GE 202 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 71 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWS80TS65GC13 |
od PLN 14,82*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOK50B65H1 |
od PLN 10,47*
za szt. |
|
|
