Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 70 Uce 650 V 1 TO-247GE 2.34 mW


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2463953
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGT80TS65DGC13
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 70
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V
Liczba tranzystorów = 1
Typ opakowania = TO-247GE
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
70
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±30V
Maksymalna strata mocy:
2.34 mW
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Pojedyncza
Typ opakowania:
TO-247GE
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, 2463953, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, ROHM, RGT80TS65DGC13
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 8,579*
  
Cena obowiązuje od 10 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 25,586*
PLN 31,471
za szt.
od 10 szt.
PLN 24,706*
PLN 30,388
za szt.
od 20 szt.
PLN 23,316*
PLN 28,679
za szt.
od 25 szt.
PLN 10,713*
PLN 13,177
za szt.
od 50 szt.
PLN 10,374*
PLN 12,76
za szt.
od 100 szt.
PLN 10,032*
PLN 12,339
za szt.
od 250 szt.
PLN 9,749*
PLN 11,991
za szt.
od 10000 szt.
PLN 8,579*
PLN 10,552
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.