Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 895 ofert spośród 4 927 280 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7,6A; 90W; D2PAK (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,295Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Polaryz...
ST Microelectronics
STB18N60DM2
od PLN 5,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 9,2A; 30W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 9,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Pol...
Infineon
IPA60R450E6XKSA1
od PLN 3,61*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 6,93A; 90W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 6,93A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,36Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Polaryza...
ST Microelectronics
STD13NM60N
od PLN 3,34*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,4A; Idm: 1,2A; 320mW; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,32W Polaryzacja: unipo...
Toshiba
T2N7002BK,LM(T
od PLN 0,555*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7,8A; 32,1W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 32,1W Po...
Taiwan Semiconductor
TSM60NB260CI C0G
od PLN 8,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 9,7A; 30W; SC67 (2 ofert) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: SC67 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 9,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 327mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryzacja: unipola...
Toshiba
TK10A60W,S4VX(M
od PLN 2,551*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 890W...
IXYS
IXFH60N60X
od PLN 38,73*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,4A; Idm: 2A; 0,625W; TO92 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,625W Polaryzacja: unipola...
onsemi
BS270
od PLN 0,447*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 77,5A; 481W; PG-TO247-3 (3 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 77,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 481W...
Infineon
IPW60R041C6FKSA1
od PLN 48,209*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 9A; 85W; PG-VSON-4 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-VSON-4 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,346Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 85W Po...
Infineon
IPL60R185CFD7
od PLN 10,63*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 64A; 1040W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 64A Rezystancja w stanie przewodzenia: 96mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Polaryzacja: unipolar...
IXYS
IXFK64N60P
od PLN 59,52*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7A; 110W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polaryzacj...
ST Microelectronics
STD13N60M2
od PLN 4,08*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,073A; 0,2W; SOT323 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT323 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,073A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,2W Polar...
Diodes
2N7002W-7-F
od PLN 0,33*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 68A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 833W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT106N60LC6
od PLN 83,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,6A; 0,7W; TO92 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,7W Polaryzacja...
Diodes
ZVN4206A
od PLN 1,28*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   731   732   733   734   735   736   737   738   739   740   741   ..   1393   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.