Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 895 ofert spośród 4 927 280 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7A; 180W; TO247AC (3 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 180W Polaryzacja: unipola...
Vishay
IRFPC50PBF
od PLN 6,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 37,9A; 278W; PG-TO247-3 (3 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 37,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 99mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W...
Infineon
IPW60R099C6FKSA1
od PLN 20,909*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 47A; 290W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 290W Polaryzacja: unipolar...
IXYS
IXKH47N60C
od PLN 69,53*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 500W; TO247-3; 145ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 145ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 155mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500...
IXYS
IXFH30N60X
od PLN 18,90*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7A; 62,5W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 62,5W Pola...
Taiwan Semiconductor
TSM60NB380CF C0G
od PLN 5,79*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 650ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: ...
IXYS
IXKR40N60C
od PLN 71,37*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 48A; 1000W; TO264 (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1kW Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXFK48N60Q3
od PLN 78,01*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 500W; TO263; 145ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 145ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 155mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W ...
IXYS
IXFA30N60X
od PLN 15,86*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 8,1A; 66W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 8,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,52Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 66W ...
Infineon
IPP60R520E6XKSA1
od PLN 2,89*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 38A; Idm: 210A; 1,04kW (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT56M60L
od PLN 63,22*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 481W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT77N60BC6
od PLN 53,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W P...
IXYS
IXTQ30N60P
od PLN 23,13*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 80A; 1300W; PLUS247™ (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 77mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,3kW Polaryzacja: unipol...
IXYS
IXFX80N60P3
od PLN 45,89*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 42mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 390W Polaryz...
ST Microelectronics
STW70N60DM6-4
od PLN 34,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 481W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT77N60SC6
od PLN 57,42*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   731   732   733   734   735   736   737   738   739   740   741   ..   1393   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.