Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 895 ofert spośród 4 926 812 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 3,9A; 125W; D2PAK,TO263 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 3,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: u...
Vishay
IRFBC40ASPBF
od PLN 4,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7,3A; 63W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W P...
Infineon
IPP60R600E6XKSA1
od PLN 2,74*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 540W; TO268; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W ...
IXYS
IXTT30N60P
od PLN 18,26*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 3,9A; 125W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 3,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: unipo...
Vishay
IRFBC40LCPBF
od PLN 3,34*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7,8A; 147W; D2PAK,TO263 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 147W Polaryzacja: ...
Vishay
SIHB12N60E-GE3
od PLN 4,15*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 540W; TO3P; 710ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 710ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W P...
IXYS
IXTQ30N60L2
od PLN 49,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4,8A; 32W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 32W Polar...
Taiwan Semiconductor
TSM60N600CI C0G
od PLN 6,55*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 164W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 164W P...
Infineon
IPP60R060P7
od PLN 22,41*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 700mA; 39W; DPAK (2 ofert) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 0,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 39W Polaryzac...
Taiwan Semiconductor
TSM1NB60CP ROG
od PLN 1,56*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 31A; 255W; PG-TO220-3-1 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3-1 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 99mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 255W...
Infineon
IPP60R099CPXKSA1
od PLN 23,68*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 40mA; Idm: 0,16A; 0,61W (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SC59 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 40mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 190Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,61W Polaryz...
Diodes
BSS127SSN-7
od PLN 0,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 219W...
Infineon
IPW60R125C6FKSA1
od PLN 19,03*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 70A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polaryzacja: unipolar...
IXYS
IXKH70N60C5
od PLN 66,33*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 36A; 650W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 650W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
IXFT36N60P
od PLN 31,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 46A; 520W; TO247AC (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 46A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHG73N60E-GE3
od PLN 35,44*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   731   732   733   734   735   736   737   738   739   740   741   ..   1393   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.