Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 902 ofert spośród 4 918 850 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,104Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 134W Polaryz...
ROHM Semiconductor
SCT3080ALGC11
od PLN 39,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolarny; 80V; 90A; Idm: 360A (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W Polaryz...
ST Microelectronics
STP140N8F7
od PLN 7,135*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 38A; SMPD-B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD-B Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 52mΩ Typ tranzystora: N-MOSFE...
IXYS
MCB30P1200LB-TUB
od PLN 611,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 84A; Idm: 295A; 715W (1 Oferta) 
Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 84A Rezystancja w stanie przewodzenia: 26mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 715W Pola...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW120SIC028
od PLN 83,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 189W Polary...
Infineon
IMW65R027M1HXKSA1
od PLN 49,151*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ III; unipolarny; 30V; 120A; 300W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polary...
ST Microelectronics
STP200NF03
od PLN 5,92*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 4,7A; Idm: 13A; 30W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 4,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 662mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Pola...
Infineon
IMW120R350M1HXKSA1
od PLN 12,407*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 3,5A; Idm: 6A; 69W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 69W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M1K170B
od PLN 13,35*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 41A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 189W Pola...
Infineon
IMZA65R027M1HXKSA1
od PLN 42,104*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 1050V; 46A; 625W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: MAX247 Napięcie dren-źródło: 1,05kV Prąd drenu: 46A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...
ST Microelectronics
STY50N105DK5
od PLN 77,37*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 52A; Idm: 100A; 405W (1 Oferta) 
Producent: WeEn Semiconductors Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 405W Polar...
WeEn Semiconductors
WNSC2M40120R6Q
od PLN 42,38*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 47A; Idm: 150A; 357W (1 Oferta) 
Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 81mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 357W Pola...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW170SIC049
od PLN 55,34*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 348W Polaryz...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M40065Q
od PLN 48,67*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 950V; 11A; Idm: 70A (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 950V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,33Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polary...
ST Microelectronics
STP20N95K5
od PLN 16,116*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 55A; Idm: 160A; 320,5W (1 Oferta) 
Producent: SMC DIODE SOLUTIONS Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 320,5W Pol...
SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0040120K-1
od PLN 46,31*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1061   1062   1063   1064   1065   1066   1067   1068   1069   1070   1071   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.