Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 895 ofert spośród 4 926 812 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4,5A; 20W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,9Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 20W Polar...
Taiwan Semiconductor
TSM60N900CI C0G
od PLN 5,16*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,115A; 0,2W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,115A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,2W Polaryzacja: unipol...
Vishay
2N7002-T1-E3
od PLN 0,172*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 48A; 540W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W Polaryzacja: unip...
IXYS
IXFR80N60P3
od PLN 52,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 431W P...
Infineon
IPW60R045CPFKSA1
od PLN 73,30*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4,6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 147W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FQB8N60CTM
od PLN 4,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 5,7A; Idm: 36A; 115W; TO220 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: NTE Electronics Mont...
NTE Electronics
NTE2995
od PLN 16,13*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 61,8A; 400W; TO3PN (2 ofert) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 61,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Polaryzacja: unipo...
Toshiba
TK62J60W,S1VQ(O
od PLN 25,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 41A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 41A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodza...
IXYS
IXKF40N60SCD1
od PLN 88,37*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,14A; Idm: 0,8A; 0,37W (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,37W Polaryza...
Diodes
2N7002A-7
od PLN 0,208*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPP60R040C7XKSA1
od PLN 30,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 64A; 1040W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 64A Rezystancja w stanie przewodzenia: 96mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Polaryzacja: unipo...
IXYS
IXFX64N60P
od PLN 61,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 48,1A; Idm: 228A; 543W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 48,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 543W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FCH76N60N
od PLN 64,75*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,16A; 0,36W; SOT23 (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,36W Polary...
Infineon
SN7002NH6433XTMA1
od PLN 0,18*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 195ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 73mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 660W P...
IXYS
IXFT50N60X
od PLN 33,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 68A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 833W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT106N60B2C6
od PLN 73,00*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   731   732   733   734   735   736   737   738   739   740   741   ..   1393   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.