Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 895 ofert spośród 4 927 281 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 29A; Idm: 116A; 400W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6021BLLG
od PLN 69,98*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPB60R360P7 tranzystor 800 V (2 ofert)
Infineon
IPB60R360P7ATMA1
od PLN 2,887*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 37,9A; 278W; PG-TO220-3 (3 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 37,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 99mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W...
Infineon
IPP60R099C6XKSA1
od PLN 18,20*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 23W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ2N60CI
od PLN 0,46*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPP60R360P7 tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPP60R360P7XKSA1
od PLN 3,735*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 29W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 29W Polar...
Infineon
IPA60R060P7
od PLN 22,00*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 38,8A; 270W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 270W Polaryzacja: uni...
Toshiba
TK39N60X,S1F(S
od PLN 17,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 44W Polaryzacja...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ2N60CP
od PLN 0,38*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: NTE Electronics Mont...
NTE Electronics
NTE2974
od PLN 17,27*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 357W; TO247AC (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 64mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 357W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHG47N60E-GE3
od PLN 22,444*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 431W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60N60BCSG
od PLN 81,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 3,5A; 60W; TO220FP (3 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 60W Polaryzacja: unipo...
Vishay
IRFIB6N60APBF
od PLN 4,52*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7,2A; 250W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT10N60
od PLN 3,31*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 500W; TO3P; 145ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 145ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 155mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W P...
IXYS
IXFQ30N60X
od PLN 17,95*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 431W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60N60SCSG
od PLN 88,27*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   731   732   733   734   735   736   737   738   739   740   741   ..   1393   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.