Tranzystor kup korzystnie w Mercateo (strona 459/1 394)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Moduł IGBT 2 Q0PACK - Case 180AJ (styki lutownicze bez zawartości Pb i bez zawartości Halide) 118 W (1 Oferta)

Maksymalna strata mocy = 118 W

onsemi

NXH40B120MNQ0SNG

od PLN 374,452*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 500V; 12A; 200W; TO263 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W P...

IXYS

IXTA12N50P

od PLN 8,00*
za szt.

IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 (1 Oferta)

Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO247-3

Infineon

IKW40N65ET7XKSA1

od PLN 13,91*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 250V; 82A; 500W; TO268 (1 Oferta)

Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Montaż: SMD Obu...

IXYS

IXTT82N25P

od PLN 31,10*
za szt.

Moduł IGBT DIP38 (1 Oferta)

ON Semiconductor NFVA22512NP2T to Advanced Auto IPM, który zapewnia w pełni funkcjonalny, wysokowydajny układ wyjściowy falownika do pojazdów hybrydowych i elektrycznych.Wbudowany termistor NTC do ...

onsemi

NFVA22512NP2T

od PLN 351,753*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolarny; 40V; 100A; 214W (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 214W ...

Infineon

IPB100N04S303ATMA1

od PLN 4,72*
za szt.

IGBT SUP90P06-09L-E3, Vishay (2 ofert)

Tranzystory MOSFET

Vishay

SUP90P06-09L-E3

od PLN 12,12*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 100V; 200A; 800W; TO264 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 800W...

IXYS

IXTK200N10P

od PLN 40,62*
za szt.

Moduł IGBT 4 Styki wciskane F1-4PACK z wstępnie naniesionym materiałem termoizolacyjnym (TIM) (bez zawartości Pb i bez (1 Oferta)

Maksymalna strata mocy = 119 W

onsemi

NXH020F120MNF1PTG

od PLN 15 990,29012*
za 28 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 500V; 16A; 300W; TO247-3 (2 ofert)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...

IXYS

IXFH16N50P

od PLN 11,96*
za szt.

IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 (1 Oferta)

Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO247-3

Infineon

IKW75N65ET7XKSA1

od PLN 22,282*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 300V; 36A; 300W; 250ns (2 ofert)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300...

IXYS

IXTP36N30P

od PLN 9,85*
za szt.

Moduł IGBT Ic +600 Uce 1200 V 2 Moduł Półmostek układ podwójny kanał: N (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = +600 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż na p...

Mitsubishi

CM600DX -24T 300G

od PLN 7 788,05001*
za 9 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Polar2™; unipolarny; 500V; 24A; 480W; TO3P (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 480W P...

IXYS

IXTQ460P2

od PLN 14,72*
za szt.

IGBT Uce 1200 V AG-ECONO2B-311 350 W (1 Oferta)

Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 350 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-311

Infineon

FS75R12KE3BPSA1

od PLN 523,249*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 451 452 453 454 455 456 457 458 459 460 461 .. 1394 Dalej

Tranzystor (20 898 ofert spośród 4 927 662 artykułów)

"Tranzystor"