Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 898 ofert spośród 4 927 662 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Uce 600 V AG-ECONO2C-311 (2 ofert) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-ECONO2C-311
Infineon
FP30R06KE3BPSA1
od PLN 332,03*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 100V; 110A; 480W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 480W Polaryzacja: unipola...
IXYS
IXFH110N10P
od PLN 17,30*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 1200 V AG-ECONO2B-311 270 W (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 270 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-311
Infineon
FS50R12KE3BPSA1
od PLN 491,543*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 500V; 16A; 330W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,36Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 330...
IXYS
IXFH16N50P3
od PLN 14,19*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolarny; 600V; 2,9A; 60W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 2,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 60W Polaryz...
ST Microelectronics
STP6N60M2
od PLN 3,33*
za szt.
 
 szt.
IGBT SIHA22N60E-E3, Vishay (1 Oferta) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
SIHA22N60E-E3
od PLN 523,38*
za 50 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolarny; 600V; 6,93A; 25W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 6,93A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,36Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polar...
ST Microelectronics
STF13NM60N
od PLN 4,30*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 600 V PG-TO252-3 (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO252-3
Infineon
IKD04N60RC2ATMA1
od PLN 1,30091*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 100V; 170A; 715W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 715W P...
IXYS
IXFK170N10P
od PLN 34,78*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 1200 V AG-ECONO2B-311 355 W (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 355 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-311
Infineon
FS75R12KT3BPSA1
od PLN 522,453*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 500V; 63A; Idm: 330A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 63A Rezystancja w stanie przewodzenia: 43mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Po...
IXYS
MMIX1F132N50P3
od PLN 152,65*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW30N65ET7XKSA1
od PLN 10,0335*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolarny; 650V; 8A; 110W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polaryz...
ST Microelectronics
STP18N60M2
od PLN 4,76*
za szt.
 
 szt.
IGBT SIHP21N60EF-GE3, Vishay (2 ofert) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
SIHP21N60EF-GE3
od PLN 8,067*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolarny; 650V; 11A; Idm: 68A (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polary...
ST Microelectronics
STP24NM60N
od PLN 5,874*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   451   452   453   454   455   456   457   458   459   460   461   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.