Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 898 ofert spośród 4 927 662 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 200V; 120A; 714W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 180ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 714W ...
IXYS
IXTK120N20P
od PLN 32,86*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT DIP38 (1 Oferta) 
ON Semiconductor NFAQ1060L36T to w pełni zintegrowany stopień mocy falownika, składający się z wysokonapięciowego sterownika, sześciu IGBT i termistora, odpowiedni do napędzanie silników synchronic...
onsemi
NFAQ1060L36T
od PLN 41,528*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT 2 Q0PACK - Case 180AJ (styki lutownicze bez zawartości Pb i bez zawartości Halide) 118 W (1 Oferta) 
Maksymalna strata mocy = 118 W
onsemi
NXH40B120MNQ0SNG
od PLN 404,96*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,1kV; 24A; Idm: 100A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,1kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W ...
IXYS
MMIX1F40N110P
od PLN 193,02*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 1,5 kA Uce 1700 V 2 PRIME3+ Dwa kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Podwójny moduł IGBT pakietu Infineon z technologią połączeń międzysystemowych IGBT5 i .XT. Ma on napięcie emitera kolektora 1700 V. Moduły N-Channel TRENCHSTOP i FIELD STOP IGBT nadają się do stero...
Infineon
FF1500R17IP5PBPSA1
od PLN 3 645,644*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 500V; 14A; Idm: 78A; 180W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISO247™ Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,295Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 18...
IXYS
IXFJ26N50P3
od PLN 54,30*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 2,6 V NFAQ (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 2,6 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 600V Typ opakowania = NFAQ
onsemi
NFAQ0560R46T
od PLN 24,958*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 200V; 50A; 360W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 360W Po...
IXYS
IXTQ50N20P
od PLN 10,97*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT DIP38 (1 Oferta) 
ON Semiconductor NFVA25012NP2T to Advanced Auto IPM, który zapewnia w pełni funkcjonalny, wysokowydajny stopień wyjściowy falownika dla pojazdów hybrydowych i elektrycznych.Wbudowany termistor NTC ...
onsemi
NFVA25012NP2T
od PLN 297,928*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 10A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R5BVFRG
od PLN 112,69*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT 4 Styki wciskane F1-4PACK z wstępnie naniesionym materiałem termoizolacyjnym (TIM) (bez zawartości Pb i bez (1 Oferta) 
Liczba tranzystorów = 4
onsemi
NXH020F120MNF1PTG
od PLN 607,30*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,2kV; 1,4A; Idm: 3A; 86W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 1,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86W P...
IXYS
IXTY1R4N120P
od PLN 8,34*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 1,8 kA Uce 1200 V 2 PRIME3+ Dwa kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Podwójny moduł IGBT pakietu Infineon z technologią połączeń międzysystemowych IGBT5 i .XT. Ma on napięcie emitera kolektora 1800 V. Moduły N-Channel TRENCHSTOP i FIELD STOP IGBT nadają się do zasto...
Infineon
FF1800R12IE5PBPSA1
od PLN 6 173,601*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 600 V AG-ECONO2C-311 (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20.0V Typ opakowania = AG-ECONO2C-311
Infineon
FP50R06KE3BPSA1
od PLN 450,307*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 200V; 96A; 600W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 160ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 96A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 600W Po...
IXYS
IXTQ96N20P
od PLN 20,75*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   461   462   463   464   465   466   467   468   469   470   471   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.