Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 821 ofert spośród 5 017 935 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł IGBT Ic 100 Uce 1200 V 6 Moduł 3-fazy kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż na pł...
Mitsubishi
CM100RX-24T 300G
od PLN 400,471*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 100V; 100A; 625W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polaryz...
Microchip Technology
APT10M09LVFRG
od PLN 98,63*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 200 A Uce 1200 V Moduł 680 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 680 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = ...
Infineon
FS150R12PT4BOSA1
od PLN 805,307*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 200V; 210A; 1500W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 210A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,5kW Polaryzacja: uni...
IXYS
IXFB210N20P
od PLN 97,89*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 15 A Uce 1200 V 7 EASY1B kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Trójfazowy prostownik zasilający EasyPIM firmy Infineon, zintegrowany moduł IGBT z technologią TRENCHSTOP IGBT7. Ma napięcie emitera kolektora 1200 V i prąd do przodu 15 A. Jest on używany w pomocn...
Infineon
FP15R12W1T4PBPSA1
od PLN 161,079*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 10A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pola...
Microchip Technology
APT1201R5BVFRG
od PLN 116,29*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 1,8 kA Uce 1700 V 2 PRIME3+ Dwa kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Podwójny moduł IGBT pakietu Infineon z technologią połączeń międzysystemowych IGBT5 i .XT. Ma on napięcie emitera kolektora 1700 V. Moduły N-Channel TRENCHSTOP i FIELD STOP IGBT nadają się do zasto...
Infineon
FF1800R17IP5PBPSA1
od PLN 3 882,334*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 Uce 1200 V 6 Moduł 3-fazy kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż na panelu Typ kanału = N Konfiguracja tranzys...
Mitsubishi
PM100CG1B120300G
od PLN 1 648,12*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 11A; Idm: 44A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Polaryza...
Microchip Technology
APT1001RBVRG
od PLN 57,91*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 200 A Uce 600 V 6 EconoPACK 600 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 600 W Typ opakowania = EconoPACK
Infineon
FS200R06KE3BOSA1
od PLN 4 631,94*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 300V; 140A; 1040W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04k...
IXYS
IXFK140N30P
od PLN 60,54*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 6 750 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 750 W
Infineon
FS150R12KT4B11BOSA1
od PLN 5 249,91*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 8A; Idm: 32A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Polar...
Microchip Technology
APT1201R6BVFRG
od PLN 78,58*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 1,8 kA Uce 2300 V PRIME3+ 2700 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1,8 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 2300 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 2700 kW Typ opakowania = PRIME3+ Typ montażu...
Infineon
SP005678645
od PLN 6 609,90*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 16A; Idm: 45A; 175W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: HIP247™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 175W Polar...
ST Microelectronics
SCTWA20N120
od PLN 39,994*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   461   462   463   464   465   466   467   468   469   470   471   ..   1389   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.