Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł IGBT Ic 200 A Uce 1200 V Moduł 680 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2737405
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FS150R12PT4BOSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V
Maksymalna strata mocy = 680 W
Typ opakowania = Moduł
Typ montażu = Montaż na panelu
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
200 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
+/-20V
Maksymalna strata mocy:
680 W
Typ opakowania:
Moduł
Typ montażu:
Montaż na panelu
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2737405, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FS150R12PT4BOSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 924,675*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 1 355,157*
PLN 1 666,843
za szt.
od 2 szt.
PLN 1 333,757*
PLN 1 640,521
za szt.
od 5 szt.
PLN 1 273,027*
PLN 1 565,823
za szt.
od 10 szt.
PLN 1 130,169*
PLN 1 390,108
za szt.
od 100 szt.
PLN 1 035,996*
PLN 1 274,275
za szt.
od 250 szt.
PLN 956,325*
PLN 1 176,28
za szt.
od 500 szt.
PLN 924,675*
PLN 1 137,35
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.