Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 898 ofert spośród 4 927 662 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
IGBT SUD19P06-60-GE3, Vishay (2 ofert) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
SUD19P06-60-GE3
od PLN 1,412*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 500V; 16A; 330W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,36Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 330W ...
IXYS
IXFA16N50P3
od PLN 11,04*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 300V; 140A; 1040W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04...
IXYS
IXTK140N30P
od PLN 66,35*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 650 V AG-ECONOD-411 (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-ECONOD-411
Infineon
FF600R07ME4B11BPSA1
od PLN 590,496*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT AG-ECONO2B-411 (1 Oferta) 
Typ opakowania = AG-ECONO2B-411
Infineon
TDB6HK180N16RRB11BPSA1
od PLN 620,293*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD90N04S405ATMA1
od PLN 1,951*
za szt.
 
 szt.
IGBT SUD50P08-25L-E3, Vishay (2 ofert) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
SUD50P08-25L-E3
od PLN 4,39*
za szt.
 
 szt.
Karta wyjściowa PAXCDS30 do Podwójny Przekaźnik, Podwójny Napęd Triaka/Dual Ssr, Poczwórny Przekaźnik, Tranzystor Z (1 Oferta) 
Karty wtykowe PaX® Setpoint Poczwórny, Otwarty Kolektor, Wersja Do Użytku Wyłącznie z modułami PAX Izolowany tranzystor NPN, maks. 100 ma
Red Lion
PAXCDS30
od PLN 249,948*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 300V; 52A; 400W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 73mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Po...
IXYS
IXTQ52N30P
od PLN 15,69*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW20N65ET7XKSA1
od PLN 10,67*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 250V; 100A; 600W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 600W ...
IXYS
IXTK100N25P
od PLN 33,30*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT DIP38 (1 Oferta) 
ON Semiconductor NFAQ0860L33T to w pełni zintegrowany stopień mocy falownika, składający się z wysokonapięciowego sterownika, sześciu IGBT i termistora, który może być stosowany do napędzanie silni...
onsemi
NFAQ0860L33T
od PLN 33,307*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPP17N25S3100AKSA1
od PLN 7,24*
za szt.
 
 szt.
IGBT SUM90140E-GE3, Vishay (2 ofert) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
SUM90140E-GE3
od PLN 4,982*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 100V; 140A; 600W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 600W ...
IXYS
IXTT140N10P
od PLN 24,37*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   451   452   453   454   455   456   457   458   459   460   461   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.