Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 898 ofert spośród 4 927 662 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Uce 1200 V AG-ECONO2B-311 270 W (2 ofert) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 270 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-311
Infineon
FS50R12KE3BPSA1
od PLN 423,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolarny; 800V; 16A; 460W; 250ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 460W...
IXYS
IXFH16N80P
od PLN 22,45*
za szt.
 
 szt.
IGBT SUD15N15-95-E3, Vishay (2 ofert) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
SUD15N15-95-E3
od PLN 3,869*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 600 V AG-ECONO2C-311 (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20.0V Typ opakowania = AG-ECONO2C-311
Infineon
FP50R06KE3BPSA1
od PLN 7 535,59*
za 15 szt.
 
 paczka
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolarny; 650V; 41,5A; 450W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 41,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 450W Polaryz...
ST Microelectronics
STW78N65M5
od PLN 46,74*
za szt.
 
 szt.
IGBT PG-TO220-3 35,7 W (1 Oferta) 
Maksymalna strata mocy = 35,7 W Typ opakowania = PG-TO220-3
Infineon
IKA15N60TXKSA1
od PLN 11,751*
za 2 szt.
 
 paczka
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolarny; 500V; 8A; 25W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryza...
ST Microelectronics
STF14NM50N
od PLN 4,07*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 1200 V AG-ECONO2B-311 355 W (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 355 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-311
Infineon
FS75R12KT3BPSA1
od PLN 569,9048*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,2kV; 0,8A; 50W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 0,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W P...
IXYS
IXTA08N120P
od PLN 8,29*
za szt.
 
 szt.
IGBT SUD25N15-52-E3, Vishay (1 Oferta) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
SUD25N15-52-E3
od PLN 5,124*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolarny; 40V; 120A; Idm: 480A (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TDSON-8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W ...
Infineon
IAUC120N04S6L008ATMA1
od PLN 4,392*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 600 V PG-TO252-3 (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO252-3
Infineon
IKD06N60RC2ATMA1
od PLN 1,45745*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolarny; 650V; 61A; 625W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: MAX247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 61A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polaryza...
ST Microelectronics
STY112N65M5
od PLN 109,29*
za szt.
 
 szt.
IGBT PG-TO247-3 428 W (1 Oferta) 
Maksymalna strata mocy = 428 W Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW75N60H3FKSA1
od PLN 25,847*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolarny; 600V; 10A; 30W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryz...
ST Microelectronics
STF22NM60N
od PLN 5,37*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   451   452   453   454   455   456   457   458   459   460   461   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.