Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 898 ofert spośród 4 927 662 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 3kV; 1,6A; Idm: 6A; 160W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024c Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 3kV Prąd drenu: 1,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozp...
IXYS
IXTF2N300P3
od PLN 204,35*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW40N65ET7XKSA1
od PLN 12,0668*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1kV; 7A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,9Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Pol...
IXYS
IXFA7N100P
od PLN 14,40*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 600 V PG-TO252-3 (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO252-3
Infineon
IKD10N60RC2ATMA1
od PLN 14,577*
za 5 szt.
 
 paczka
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 200V; 120A; 714W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 180ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 714W P...
IXYS
IXTQ120N20P
od PLN 30,49*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT 3 Wzmocnienie 3-kanałowy Q1 — Case, styki lutownicze 180BQ (bezoluzowe Pb) 156 W (1 Oferta) 
Maksymalna strata mocy = 156 W
onsemi
NXH40B120MNQ1SNG
od PLN 563,515*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolarny; 600V; 20A; 250W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,105Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polar...
ST Microelectronics
STP34NM60N
od PLN 14,33*
za szt.
 
 szt.
IGBT SQM120P06-07L_GE3, Vishay (2 ofert) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
SQM120P06-07L_GE3
od PLN 6,506*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 500V; 16A; 330W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,36Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 330...
IXYS
IXFP16N50P3
od PLN 11,34*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW75N65ET7XKSA1
od PLN 17,4222*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 200V; 20A; 90W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W ...
IXYS
IXTP50N20PM
od PLN 21,06*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 600 V PG-TO252-3 (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO252-3
Infineon
IKD15N60RC2ATMA1
od PLN 4,912*
za 2 szt.
 
 paczka
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 200V; 50A; 360W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 360W P...
IXYS
IXTA50N20P
od PLN 10,29*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT 4 Styki wciskane F1-4PACK z wstępnie naniesionym materiałem termoizolacyjnym (TIM) (bez zawartości Pb i bez (1 Oferta) 
Liczba tranzystorów = 4
onsemi
NXH040F120MNF1PTG
od PLN 10 467,96016*
za 28 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolarny; 200V; 9,45A; 90W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 9,45A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Polar...
ST Microelectronics
STP19NF20
od PLN 3,84*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   451   452   453   454   455   456   457   458   459   460   461   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.