 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 6,9 A SO-8 100 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba ... |
|
od PLN 2,243*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 89,34*
za 50 szt. |
|
|
|
Infineon IPB019N06L3GATMA1 |
od PLN 6,30*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 6,5 A TO-220 FP 850 V (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Typ opakowania = TO-220 FP Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1 |
|
od PLN 7,64*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,89*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 62 A DPAK (TO-252) 55 V SMD 0.011 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 62 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0... |
|
od PLN 7 445,67*
za 3 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 11,06*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 60 A H2PAK-7 1200 V SMD 0.052 Ω (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = H2PAK-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dre... |
ST Microelectronics SCTH60N120G2-7 |
od PLN 81,789*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 6,9 A SO-8 60 V SMD 0,034 oma (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = DMN6022 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło =... |
|
od PLN 2 240,35*
za 2 500 szt. |
|
|
|
|
od PLN 7,32*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 6,5 A U-DFN2020 30 V SMD 0.03 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = U-DFN2020 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dr... |
|
od PLN 1,12*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 7,93*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 60 A HSOP8 100 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = HSOP8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
ROHM Semiconductor RS6P060BHTB1 |
od PLN 3,84*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 60 A H2PAK-7 1200 V SMD 0.052 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = H2PAK-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dre... |
ST Microelectronics SCTH60N120G2-7 |
od PLN 163,449*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 6,6 A SO-8 20 V SMD 0.029 Ω (1 Oferta) Piąta generacja HEXFET firmy International Rectifier z serii Infineon wykorzystuje techniki przetwarzania Advanced, aby osiągnąć bardzo niski opór w przypadku obszaru krzemowego. Korzyści te, w poł... |
|
od PLN 3,558*
za szt. |
|
|
